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ADALM2000實驗：脈沖振蕩器設(shè)計與工作原理詳解
在雷達系統(tǒng)等電子設(shè)備中，往往需要一種能夠按需產(chǎn)生正弦波的電路——它不是持續(xù)運行，而是在特定時間窗口內(nèi)短暫開啟，完成任務(wù)后立即停止。這種受控的振蕩電路就是脈沖振蕩器（又稱振鈴振蕩器）。與傳統(tǒng)的持續(xù)振蕩器不同，脈沖振蕩器通過門控信號精確控制其工作時段，其核心原理是利用諧振電路在激勵...
2025-10-16
脈沖振蕩器 振鈴振蕩器 電路 ADALM2000 實驗 雷達 脈沖電路 門控振蕩器設(shè)計
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存儲卡連接器核心技術(shù)解析：從小尺寸到高可靠性的設(shè)計平衡
存儲卡連接器是一種用于實現(xiàn)存儲卡與電子設(shè)備間電氣連接和機械固定的基礎(chǔ)元件，它負責穩(wěn)定傳輸數(shù)據(jù)信號和電源，同時為存儲卡提供物理支撐和保護。在數(shù)碼相機、智能手機、工業(yè)控制系統(tǒng)及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中，這類連接器發(fā)揮著不可或缺的作用。
2025-10-16
存儲卡連接器 MicroSD卡座成本 存儲卡接口技術(shù) 工業(yè)級存儲卡連接器 推推式卡座
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美光塔塔啟動測試芯片生產(chǎn)，印度 2025 年底沖刺半導(dǎo)體商業(yè)化
在年度印度半導(dǎo)體展上，莫迪宣布美光、塔塔測試芯片已在印生產(chǎn)，2025 年底將啟動半導(dǎo)體商業(yè)化生產(chǎn)，印度欲在全球市場發(fā)力。為推動產(chǎn)業(yè)，印度出臺多項政策，還批準 10 個半導(dǎo)體項目，吸引富士康、塔塔等參與。同時，印度通過 “本土研發(fā) + 國際合作” 模式，引入國際巨頭，提升自身實力。據(jù)預(yù)測，印度...
2025-10-16
度印度半導(dǎo)體展 商業(yè)化半導(dǎo)體生產(chǎn) 富士康 3 納米芯片設(shè)計中心 塔塔集團
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荒漠變戰(zhàn)場：英特爾 18A 制程攜 RibbonFET 技術(shù)量產(chǎn)，重塑全球芯片格局
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局深度重塑的關(guān)鍵節(jié)點，英特爾擲出 320 億美元的重磅投資，將美國亞利桑那州一片 700 英畝的荒漠，改造為芯片制造領(lǐng)域的核心戰(zhàn)場。隨著 Fab52 工廠正式投產(chǎn)，18A 制程工藝的量產(chǎn)不僅成為英特爾技術(shù)路線上的 “背水一戰(zhàn)”，更有望成為美國重奪半導(dǎo)體制造霸權(quán)的重要轉(zhuǎn)折點。
2025-10-16
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) RibbonFET 晶體管 PowerVia 背面供電技術(shù) AI 服務(wù)器
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大聯(lián)大品佳基于英飛凌 EVAL-M3-IM564 評估板的 1.4kW 電機方案落地
2025 年 10 月 14 日，專注于亞太地區(qū)市場的國際頂尖半導(dǎo)體元器件分銷商 —— 大聯(lián)大控股對外宣告，旗下品佳品牌打造了一款以英飛凌（Infineon）EVAL-M3-IM564 評估板為基礎(chǔ)的 1.4kW 壓縮機電機方案，該方案不僅整合了單相 PFC 功能，還借助模塊化設(shè)計，實現(xiàn)了高性能與小型化的出色融合。
2025-10-16
英飛凌 EVAL-M3-IM564 評估板 模塊化設(shè)計 智能功率模塊 壓縮機電機方案
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業(yè)界突破！ROHM “UCR10C 系列” 分流電阻器來襲，功率翻倍還兼高精度
上海，2025 年 10 月 14 日電 —— 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè) ROHM（總部設(shè)于日本京都市）于今日正式對外宣布，其成功研發(fā)出 “UCR10C 系列” 分流電阻器。該系列產(chǎn)品屬于 2012 尺寸（阻值范圍 10mΩ～100mΩ）品類，在額定功率方面達到了業(yè)界超高水準。
2025-10-16
分流電阻器 ROHM 無鉛 車載 / 工業(yè)設(shè)備
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面向高密度計算，瑞薩電子800V電源架構(gòu)實現(xiàn)高效能突破
隨著人工智能算力需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)正面臨能效與功率密度的雙重挑戰(zhàn)。近日，瑞薩電子宣布在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得關(guān)鍵進展，其推出的新一代解決方案，可高效支持基于800V直流架構(gòu)的AI數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)。該技術(shù)旨在優(yōu)化從電源轉(zhuǎn)換到分配的全程效率，為下一代高密度、高能效AI計...
2025-10-16
瑞薩電子 數(shù)據(jù)中心 AI數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu) AI基礎(chǔ)設(shè)施 下一代功率器件
- 機構(gòu)預(yù)警：DRAM價格壓力恐持續(xù)至2027年，存儲原廠加速擴產(chǎn)供應(yīng)HBM
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