【導讀】隨著人工智能算力需求呈現爆發式增長，傳統數據中心供電系統正面臨能效與功率密度的雙重挑戰。近日，瑞薩電子宣布在功率半導體領域取得關鍵進展，其推出的新一代解決方案，可高效支持基于800V直流架構的AI數據中心供電系統。該技術旨在優化從電源轉換到分配的全程效率，為下一代高密度、高能效AI計算基礎設施奠定堅實基礎，助力全球智能算力實現更快速、更可靠的部署與擴展。
2025 年 10 月 14 日，隨著人工智能算力需求呈現爆發式增長，傳統數據中心供電系統正面臨能效與功率密度的雙重挑戰。近日，瑞薩電子宣布在功率半導體領域取得關鍵進展，其推出的新一代解決方案，可高效支持基于800V直流架構的AI數據中心供電系統。該技術旨在優化從電源轉換到分配的全程效率，為下一代高密度、高能效AI計算基礎設施奠定堅實基礎，助力全球智能算力實現更快速、更可靠的部署與擴展。
隨著GPU驅動的AI工作負載日益密集，數據中心功耗攀升至數百兆瓦級別，現代數據中心亟需兼具能效優化與可擴展性的電源架構。GaN FET開關為代表的寬禁帶半導體，憑借其更快的開關速度、更低的能量損耗，及卓越的熱管理性能，正迅速成為關鍵解決方案。此外，GaN功率器件將推動機架內800V直流母線的發展，在通過DC/DC降壓轉換器支持48V組件復用的同時，顯著降低配電損耗，并減少對大尺寸母線排的需求。
瑞薩基于GaN的電源解決方案特別適用于此類應用場景，支持高效且密集的DC/DC電源轉換，工作電壓范圍覆蓋48V至400V，并可通過選配疊加至800V。這些轉換器基于LLC直流變壓器（LLC DCX）拓撲結構，可實現高達98%的轉換效率。在AC/DC前端，瑞薩采用雙向GaN開關，以簡化整流器設計并提升功率密度。同時，瑞薩的REXFET MOSFET、驅動器及控制器則為新型DC/DC轉換器的物料清單（BOM）提供了有力補充。更多詳情，請訪問：renesas.com/power。
Zaher Baidas, Senior Vice President and General Manager of Power at Renesas表示：“AI正以前所未有的速度改變各行各業，電源基礎設施必須同步快速演進，以滿足激增的電力需求。依托我們全系列GaN FET、MOSFET、控制器及驅動器產品組合，瑞薩致力于以面向規模化應用的高密度能源解決方案，為AI的未來賦能。這些創新不僅帶來卓越性能與能效，也具備支撐未來增長所需的可擴展性。”
瑞薩電子已發布一份白皮書，深入探討其在AI基礎設施中支持800V配電的設備拓撲結構。
瑞薩電源管理技術優勢
作為全球卓越的電源管理產品供應商，瑞薩電子近年來的平均年出貨量超15億顆，其中大量產品服務于計算行業，其余則廣泛應用于工業、物聯網、數據中心以及通信基礎設施等領域。瑞薩擁有業界廣泛的電源管理器件產品組合，在產品質量、效率及電池壽命方面表現卓越。同時，作為一家值得信賴的供應商，瑞薩擁有數十年的電源管理IC設計經驗，并以雙源生產模式、業界先進的工藝技術，以及由250多家生態系統合作伙伴組成的龐大體系為后盾。關于瑞薩電源管理技術的更多信息，請訪問：renesas.com/power。
關于瑞薩電子
瑞薩電子（TSE: 6723），科技讓生活更輕松，致力于打造更安全、更智能、可持續發展的未來。作為全球微控制器供應商，瑞薩電子融合了在嵌入式處理、模擬、電源及連接方面的專業知識，提供完整的半導體解決方案。成功產品組合加速汽車、工業、基礎設施及物聯網應用上市，賦能數十億聯網智能設備改善人們的工作和生活方式。
推薦閱讀：
