【導讀】在半導體領域，電源管理是一個很“卷”的市場，這是不爭的事實。一方面，眾多半導體廠商都在追求更高的效率、更緊湊的封裝、更高的能量密度之路上狂奔，力求打造出更為“極致”的產品；而另一方面，傳統硅（Si）基器件，已經越來越接近性能的天花板，從其身上可以榨取的附加值也越來越少。
在半導體領域，電源管理是一個很“卷”的市場，這是不爭的事實。一方面，眾多半導體廠商都在追求更高的效率、更緊湊的封裝、更高的能量密度之路上狂奔，力求打造出更為“極致”的產品；而另一方面，傳統硅（Si）基器件，已經越來越接近性能的天花板，從其身上可以榨取的附加值也越來越少。
在這樣的大背景下，想要打造出具有差異化優勢的、與眾不同的電源管理器件，難度可想而知。不過，成功實現這樣的目標，也并非無跡可尋，一般來講有兩個可選的路徑：
尋找新的替代技術，實現器件性能的迭代升級。就電源管理領域而言，特別是在中高功率的應用中，第三代寬禁帶半導體（如SiC和GaN）器件的開發和應用日趨火熱，就是這個原因。各個廠商都想搶先在這個領域有所建樹，利用性能上的代差優勢，從傳統硅基器件的“紅海”中脫穎而出。
針對特定應用的優化，在某個細分領域確立優勢。通過精準的產品定位，以及在性能上的精益求精，在依然龐大的硅基電源管理器件市場，這是一個重要的競爭策略。
對于上面兩條路徑，大家都心知肚明，可在現實的市場競爭中，誰能夠走得通、走得好，則十分考驗半導體廠商的市場洞察力和技術實力。在“打造差異化的電源管理產品”方面，Nexperia的表現就非常出色。他們是如何做到的？本文將帶著大家做一番深入地探究。
向SiC技術升級
如前文所述，推動新一代的寬禁帶半導體器件的開發，是功率半導體廠商確立差異化優勢的關鍵著力點。這一點，在SiC器件的研發和應用上表現得尤為突出。
與傳統的如Si材料相比，SiC具有全面的性能優勢，如更寬的禁帶（能隙）、更高的電場強度、更高的熱導率等（如圖1）。在諸多優勢的加持下，SiC器件的性能提升也是全方位的：
在相同額定電壓下，SiC的介電擊穿場強比Si基器件高10倍，且漂移層也更薄。因此，SiC器件的電阻率更低，熱傳導性能更優，與同級別額定電壓的Si器件相比，芯片尺寸也可以做得更小。
SiC的熱導率大約是Si基器件的3.5倍，這意味著單位芯片面積耗散的功率更多，熱性能更佳。
SiC器件的工作溫度可以高達Si基器件的兩倍，這可為SiC器件帶來額外的可靠性裕量，在遇到瞬態熱沖擊時表現出更優的性能。
由于芯片尺寸更小，在特定電流和額定電壓下，SiC器件固有的電容和相關電荷都會更低，加之SiC具有更高的電子飽和速度，因此SiC器件可實現比Si基器件更快的開關速度和更低的損耗。
圖1：Si與4H-SiC材料的特性比較
（圖源：Nexperia）
正是看到了SiC的巨大潛力，涌入這條賽道的半導體廠商也越來越多，相應的競爭也越來越激烈。這也就要求半導體廠商所開發的SiC器件，必須要有異于他人的“絕活”，才能立于不敗之地。
深度優化的SiC肖特基二極管
在進入SiC這個新賽道時，大多數半導體廠商都會選擇將SiC肖特基二極管作為切入點。這是因為SiC肖特基二極管結構和工藝相對簡單，應用廣泛，很適合作為SiC技術商用的敲門磚。
與類似的Si基功率二極管相比，SiC二極管中不會發生少數載流子積聚的現象，因此效率非常高，相應的散熱要求較低，有助于實現更高的功率密度。同時，由于開關損耗低，SiC二極管可實現更高的開關頻率，耗散的熱量也較小，因此只需使用較簡單的EMI濾波組件和更小巧的磁性組件，十分有利于在系統成本和外形上的優化。此外，SiC二極管還可耐受更高溫度，具有更高的耐用性和可靠性。
可以說，相對于傳統的Si功率二極管，SiC肖特基二極管在很多性能方面都具有“碾壓式”的優勢，不過這并不意味著其已經盡善盡美，比如與Si快速恢復二極管相比，SiC二極管的一些特性仍有待提高，這也為相關產品的差異化提供了空間。
在打造差異化的SiC二極管方面，Nexperia從設計和制造工藝上雙管齊下，將器件的性能提升到了一個新高度。
具體來講，在SiC二極管的設計上，Nexperia將肖特基二極管和P-N結二極管有效地并聯在一起，形成了一種被稱為“合并PiN肖特基（MPS）”的混合器件結構，由此帶來的差異化優勢是多方面的。
圖2：獨特的MPS混合二極管結構
（圖源：Nexperia）
減少漏電流
大家知道，金屬-半導體接面的缺陷是SiC肖特基二極管漏電流的主要成因，雖然采用更厚的漂移層可減小漏電流，但也會提高電阻和熱阻，不利于電源應用。而MPS混合二極管結構，在傳統肖特基結構的漂移區內嵌入P摻雜區，與肖特基陽極的金屬構成P型歐姆接觸，并與輕度摻雜SiC漂移或外延層構成P-N結。在反向偏壓下，P阱將“驅使”極高場強的通用區域向下移動到幾乎沒有缺陷的漂移層，遠離有缺陷的金屬勢壘區域，從而減小總漏電流（如圖3所示）。同時，正向壓降會抵消漏電流和浪涌電流，因此在漏電流和漂移層厚度相同的情況下，MPS結構器件可在更高的擊穿電壓下運行。
圖3：在SiC肖特基二極管中添加P阱可使反向偏壓下的極高場強區域遠離陽極金屬區域，從而減小總漏電流（圖源：Nexperia）
提高浪涌電流穩健性
SiC器件的浪涌電流性能與其單極性和相對較高的漂移層電阻相關。正常運行時，MPS二極管的肖特基器件傳導幾乎所有電流，如同“純”肖特基二極管那樣有效運行，同時在開關期間提供相同的優勢；而在高瞬態浪涌電流事件期間，通過MPS二極管的電壓會超過內置P-N結二極管的開啟電壓，從而開始以更低的差分電阻傳導。這樣可以轉移電流，同時限制耗散的功率，并緩解MPS二極管的熱應力。而如果使用傳統的肖特基二極管，應對同樣級別的瞬時過流事件，則不得不選擇尺寸超規格的器件。
改善反向恢復特性
反向恢復電荷是造成Si快速恢復二極管功率損耗的一個主要原因。而對于SiC二極管來說，只有多數載流子才會影響二極管的總電流，這意味著SiC二極管能夠表現出幾乎恒定的行為，幾乎不會有Si快速恢復二極管那樣的非線性性能。這使得開發者更容易預測出SiC器件的行為，而無需考慮各種環境溫度和負載條件，為設計提供更大的便利性。
除了優化的器件結構，在工藝上，Nexperia通過打造創新的“薄型SiC”二極管結構，大大減少了芯片厚度，使得MPS二極管性能進一步提升。
從MPS二極管的結構來看，未經過處理的SiC襯底為N摻雜襯底，并會生長出SiC外延層，以形成漂移區。襯底初始的厚度可達500μm，但在形成外延后，會給背面金屬的電流和熱流路徑增加額外的電阻和熱阻，使得給定電流下的正向壓降和結溫變得更高。
對此，Nexperia的解決方案是通過特殊的工序，將襯底的底面“磨薄”，并保持厚度的均勻性——如果厚度不均勻，可能會降低二極管的性能，甚至導致現場應用中的器件失效。通過對材料質量和研磨精度的把控，Nexperia的“薄型SiC”技術可將襯底厚度減少到原來的三分之一。
圖4：薄型SiC工藝可顯著提高二極管的電氣性能和熱性能（圖源：Nexperia）
Nexperia的PSC1065K SiC肖特基二極管，就是基于MPS架構、采用“薄型SiC”工藝打造的器件。該SiC二極管采用R2P TO-220-2（SOT8021）通孔大功率塑料封裝，具有與溫度無關的電容關斷、零恢復開關特性，以及出色的品質因數 (QC x VF)，適用于各類超高性能、低損耗、高效電源轉換應用。
圖5：PSC1065K SiC肖特基二極管
（圖源：Nexperia）
與眾不同的SiC MOSFET
在電源管理領域，除了功率二極管，SiC MOSFET也是各個廠商角逐的一個主賽場。這是因為，憑借高耐壓、低導通電阻、高開關頻率、高效率、小型化等優勢，SiC MOSFET有望在諸多應用中替代原有的主流Si基器件（如MOSFET和IGBT），應用范圍廣，市場前景非常可觀。
隨著技術和市場的發展，今天SiC MOSFET領域的競爭也愈發激烈。想要從中勝出，參與競爭的SiC MOSFET器件，必須能夠提供更為獨特的功能，為用戶帶來其他競品無法替代的價值。
在這個領域，Nexperia的招牌產品是其推出的1200V SiC MOSFET，其充分發揮出了SiC器件的優勢，具有出色的溫度穩定性和很高的開關速度，非常適合于大功率和高壓工業應用。
圖6：Nexperia的1200V SiC MOSFET
（圖源：Nexperia）
值得注意的是，在此基礎上，這些SiC MOSFET產品體現出的四大差異化優勢，更是錦上添花，讓人過目不忘。
優勢一：超低的RDS(ON)漂
對于典型的SiC器件，隨著結溫的升高，RDS(ON)在整個工作溫度范圍內通常會增加到1.6至2倍。而Nexperia的1200V SiC MOSFET，其RDS(ON)溫度漂移僅為1.4倍。這意味著，與競品相比，這種出色的溫度穩定性可有效減少高溫下導通損耗，這一優勢特性對于電機驅動、充電基礎設施、太陽能光伏、UPS等需要較高工作溫度的應用，大有裨益。
圖7：Nexperia的SiC MOSFET具有超低RDS(ON)漂移（圖源：Nexperia）
優勢二：更低的閾值電壓容差
MOSFET的閾值電壓(Vth)是器件安全工作的一個重要指標，同時閾值電壓容差也是一個不容忽視的相關關鍵參數，該參數表示指定的閾值電壓的極小值和極大值之間的變化。低閾值電壓容差，意味著可以在多個并聯的SiC MOSFET之間實現高度對稱的開關行為——這種并聯設計是許多電源應用中的常見布局形式——通過“平衡的并聯”減少單個器件的應力，進而增強電路性能并延長產品壽命。與類似的競品相比，Nexperia的SiC MOSFET的閾值電壓變化僅為1.2V，表現十分出眾。
圖8：Nexperia的SiC MOSFET具有更低的閾值電壓容差，有助于實現器件的平衡并聯（圖源：Nexperia）
優勢三：優異的柵極電荷參數
對于SiC MOSFET來說，低柵極電荷 (QG) 可以降低開關操作期間的柵極驅動損耗，還有助于降低功耗和對柵極驅動器的其他要求。此外，柵漏電荷 (QGD) 和柵源電荷 (QGS) 之間的比率，也是考量器件穩定性的重要指標，如果QGD低于QGS，SiC MOSFET可提供更穩定的性能。Nexperia的1200V SiC MOSFET不僅具有低QG，而且還具有出色的QGD與QGS電荷比，這確保了其能夠提供更低功耗、更出色的穩健性和更安全的開關性能。
圖9：Nexperia的SiC MOSFET具有較低的柵極電荷和電荷比（圖源：Nexperia）
優勢四：超低正向壓降
SiC MOSFET通常用于具有高邊和低邊MOSFET的對稱橋配置，即一個器件導通時另一個器件則關斷。為防止發生潛在的破壞性短路，需要一定的“死區時間”（即兩個器件都處于關斷狀態的短暫持續時間）。但即使在死區時間內，電流也會繼續流過MOSFET的體二極管，并且產生的壓降高于器件通道導通時的壓降。也就是說，死區時間間隔內升高的壓降會帶來更高的功率損耗。Nexperia的1200V SiC MOSFET具有出色的體二極管穩健性，相較其他同類產品，具有更低的正向壓降。因此，與其他具有相同工作條件和死區時間的器件相比，Nexperia的SiC MOSFET損耗要低得多。
圖10：Nexperia的SiC MOSFET具有更低的正向壓降（圖源：Nexperia）
總之，SiC MOSFET相對于Si基器件的優勢已經眾所周知，但隨著越來越多SiC MOSFET產品的面市，想要在眾多競品中脫穎而出，也非易事。而Nexperia的SiC MOSFET器件，憑借超低RDS(on)漂移、超低閾值電壓差、低柵極電荷和出色的柵極電荷比，以及超低正向壓降等優勢，找到了贏得差異化競爭的“密碼”。
緊湊而高效的LCD偏壓電源IC
如果說上文提到的兩款Nexperia的SiC產品，是在技術迭代升級中尋求突破，那么下面這款產品則是選擇了另一條差異化的路徑，即“通過面向應用的優化，在細分市場上確立競爭優勢”。
隨著電子產品的智能化，使用顯示屏的產品越來越多，以提供更佳的人機交互體驗，這也推動了對于屏幕偏壓驅動芯片需求的增長。針對這一市場需求，Nexperia推出了新一代的兩路輸出LCD偏壓電源系列產品——NEX10000和NEX10001電源IC，它們集成了LDO穩壓器、集成式升壓轉換器和負電荷泵，分別可以提供80mA和高達220mA的兩路輸出電流，提供穩定的屏幕顯示。
圖11：NEX10000/1 LCD偏壓電源IC
（圖源：Nexperia）
為了獲得差異化的優勢，Nexperia的這兩款IC在兩個方面做了特別的優化：一是小型化，二是高效率。
在小型化方面，這兩款器件均可用I2C編程兩路電壓輸出，僅需一個電感器即可為兩個輸出端提供支持，并采用內部補償，因此有助于減小PCB面積。此外，NEX10000/1采用緊湊的WLCSP15封裝，外形尺寸僅為1.16 × 1.96 × 0.62mm，非常適合于在空間受限的設計中應用。
在低功耗方面，NEX10000/1內置了升壓轉換器，該轉換器能夠根據負載電流，在連續導通模式（CCM）和脈沖頻率調制模式（PFM）之間切換，從而顯著提升效率，降低器件的功耗，特別有利于電池供電設備的續航。
此外，這兩款器件都支持2.7V至5V的輸入電壓范圍，并具有出色的輸入和負載瞬態響應，這些特性可減少輸出紋波，從而為LCD提供更穩定的圖像，更大限度地延長LCD的工作壽命，是智能手機、平板電腦、VR頭顯和LCD模塊等產品的理想選擇。
圖12：NEX10000/1主要特性和典型應用
（圖源：Nexperia）
本文小結
綜上所述，打造具有差異化優勢的“不一樣”的產品，是當下電源管理器件市場的競爭之道。無論是借助技術升級開疆擴土，還是在成熟市場中精耕細作，都是實現這一目標的有效途徑，當然也是檢驗元器件廠商“功力”的命題。
文章來源：貿澤電子
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