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三星SDI將在移動娛樂市場推出5英寸以上的有機EL面板
據日經BP社報道，日前在東京都內舉行的“第三屆TSR研討會”上，韓國三星SDI移動顯示器營銷部（Mobile Display Marketing Team）副總裁Woo Jong Lee發表主題演講，展望了面向移動設備的有源矩陣型有機EL面板的前景。
2008-12-05
有機EL面板 有源矩陣柔 性顯示器 觸摸屏
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比亞迪電子與大股東轉讓資產
比亞迪電子宣布向大股東比亞迪集團收購主要用于生產手機金屬部件的設備，總代價9,286.3萬元人民幣，另外，公司將向比亞迪集團出售供生產耳機及切割液晶顯示屏保護膜的設備，總代價4,291.4萬元人民幣。
2008-12-05
手機金屬部件 液晶顯示屏保護膜 鋰電池 柔性印制電路板
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比亞迪電子與大股東轉讓資產
比亞迪電子宣布向大股東比亞迪集團收購主要用于生產手機金屬部件的設備，總代價9,286.3萬元人民幣，另外，公司將向比亞迪集團出售供生產耳機及切割液晶顯示屏保護膜的設備，總代價4,291.4萬元人民幣。
2008-12-05
手機金屬部件 液晶顯示屏保護膜 鋰電池 柔性印制電路板
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比亞迪電子與大股東轉讓資產
比亞迪電子宣布向大股東比亞迪集團收購主要用于生產手機金屬部件的設備，總代價9,286.3萬元人民幣，另外，公司將向比亞迪集團出售供生產耳機及切割液晶顯示屏保護膜的設備，總代價4,291.4萬元人民幣。
2008-12-05
手機金屬部件 液晶顯示屏保護膜 鋰電池 柔性印制電路板
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Vishay推出采用TurboFET技術第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術，利用新電荷平衡漏結構將柵極電荷降低多達 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET
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Vishay推出采用TurboFET技術第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術，利用新電荷平衡漏結構將柵極電荷降低多達 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET
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Vishay推出采用TurboFET技術第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術，利用新電荷平衡漏結構將柵極電荷降低多達 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET
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工信部稱電子產業內資日子好過外資
中國電子信息產業受金融危機之創明顯，進入第三季度后至10月底，該產業增加值的增速一路下滑，而進出口增速同比也有較大回落。工業和信息化部(下稱“工信部”)昨天公布的10月份國內電子信息產業經濟運行情況、1～10月電子產業統計數據顯示，中國電子信息產業發展速度已明顯放緩，結構調整繼續深化。
2008-12-04
電子信息產業 電子制造業
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工信部稱電子產業內資日子好過外資
中國電子信息產業受金融危機之創明顯，進入第三季度后至10月底，該產業增加值的增速一路下滑，而進出口增速同比也有較大回落。工業和信息化部(下稱“工信部”)昨天公布的10月份國內電子信息產業經濟運行情況、1～10月電子產業統計數據顯示，中國電子信息產業發展速度已明顯放緩，結構調整繼續深化。
2008-12-04
電子信息產業 電子制造業
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