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掌握幾個(gè)技巧 降低運(yùn)放電路中的功耗！
為了了解運(yùn)算放大器電路中的功耗問題，我們首先明白具有低靜態(tài)電流 (IQ)的放大器以及增加反饋網(wǎng)絡(luò)電阻值與功耗之間的關(guān)系。
2024-05-14
運(yùn)放電路
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如何使用帶有I2C和SPI解碼的示波器排查系統(tǒng)問題
大多數(shù)基于微控制器的設(shè)計(jì)都使用I2C或SPI，或兩者兼用，來實(shí)現(xiàn)控制器之間以及控制器與外圍芯片之間的通信。當(dāng)芯片發(fā)送特定的I2C或SPI數(shù)據(jù)包時(shí)，能夠看到嵌入式系統(tǒng)內(nèi)部的操作對(duì)于排除故障至關(guān)重要。許多管理相對(duì)較慢參數(shù)的芯片，如溫度傳感器、電機(jī)控制器、人機(jī)界面或電源管理等，都將這些總線作為...
2024-05-14
I2C SPI解碼 示波器
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Boost電路的CCM模式與DCM模式
Boost升壓電路，可以工作在電流斷續(xù)工作模式(DCM)和電流連續(xù)工作模式(CCM)。CCM工作模式適合大功率輸出電路，電感電流需保持連續(xù)狀態(tài)，因此，按CCM工作模式來進(jìn)行特性分析。不管哪種拓?fù)洌銫CM和DCM的定義，是一樣的。
2024-05-14
Boost電路的CCM模式與DCM模式
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MOS管被擊穿的原因及解決方案
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
2024-05-14
MOS管
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雙管反激240W USB PD3.1 EPR設(shè)計(jì)要點(diǎn)
雙管反激QR變換器架構(gòu)很好地解決了前面提到的難題，雙管反激QR變換器可以輸出很寬的電壓范圍，通過合理的選擇變壓器匝比，可以使初級(jí)的雙開關(guān)近似工作在ZVS開通，同時(shí)高匝比的應(yīng)用也使得初級(jí)的電流減小，開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗得以減少，后級(jí)同步整流管可以使用常用的120V的MOSFET，降低了整體成本。
2024-05-14
雙管反激 EPR設(shè)計(jì)
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惡劣條件下的成像如何破？eHDR智能線性化技術(shù)多圖效果對(duì)比！
圖像傳感器廣泛用于安防監(jiān)控、隨身記錄儀、可視門鈴和機(jī)器人等應(yīng)用，必須能夠在各種惡劣成像條件下穩(wěn)定工作，以支持圖像視覺和機(jī)器視覺等功能。高動(dòng)態(tài)范圍場景、運(yùn)動(dòng)物體或 LED 閃爍等惡劣成像條件，會(huì)導(dǎo)致攝像頭難以準(zhǔn)確捕捉畫面。
2024-05-14
eHDR智能線性化技術(shù) 惡劣條件 圖像傳感器
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使用ROS1驅(qū)動(dòng)程序來操控ADI Trinamic電機(jī)控制器
“實(shí)現(xiàn)機(jī)器人操作系統(tǒng)——電機(jī)控制器ROS1驅(qū)動(dòng)程序簡介”一文中概述了新型ADI Trinamic?電機(jī)控制器(TMC)驅(qū)動(dòng)程序，并討論了將電機(jī)控制器集成到機(jī)器人操作系統(tǒng)(ROS)生態(tài)系統(tǒng)中的方法。TMC ROS1驅(qū)動(dòng)程序支持TMC驅(qū)動(dòng)層和應(yīng)用層之間在ROS框架內(nèi)無縫通信，且適用于它支持的各種TMC板。本文將深入探討TMC ROS1...
2024-05-14
電源開關(guān)
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