中心議題：
參考頻率信號(hào)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
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MEMS振蕩器內(nèi)部設(shè)計(jì)
- 如何制造MEMS諧振器
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MEMS諧振器微型工藝封裝技術(shù)大要
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可編程架構(gòu)的全硅MEMS振蕩器特性
參考頻率信號(hào)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
頻率信號(hào)對(duì)于所有電子產(chǎn)品就像是心跳對(duì)所有動(dòng)物的生命一般重要，所有電子電路的動(dòng)作都以此重復(fù)性且穩(wěn)定的頻率信號(hào)作為參考信號(hào)源。設(shè)計(jì)優(yōu)良的頻率信號(hào)，幾乎是系統(tǒng)是否能夠達(dá)到高效能、持續(xù)性穩(wěn)定工作的重要基礎(chǔ)。一般而言，系統(tǒng)設(shè)計(jì)的參考頻率信號(hào)可由不同的頻率組件來(lái)產(chǎn)生，如諧振器（Resonator）、振蕩器（Oscillator）以及頻率產(chǎn)生器（Clock Generator），不同的系統(tǒng)設(shè)計(jì)會(huì)根據(jù)不同的設(shè)計(jì)考慮，選擇不同的組件來(lái)提供參考頻率。
諧振器是利用機(jī)械震動(dòng)原理，加上一個(gè)外部諧振電路來(lái)產(chǎn)生周期性振蕩信號(hào)，一般該諧振電路會(huì)被整合在芯片之中。振蕩器組件則是將諧振器以及諧振電路整合于一4或6針腳的封裝中，用以輸出參考頻率信號(hào)。而頻率產(chǎn)生器則是較為復(fù)雜的頻率信號(hào)輸出組件，一般此類組件需要一個(gè)外部參考諧振器，內(nèi)部則整合一個(gè)或多個(gè)鎖相環(huán)（Phase Lock Loop；PLL），來(lái)產(chǎn)生一個(gè)或數(shù)個(gè)參考頻率輸出的信號(hào)。
對(duì)于所有的系統(tǒng)設(shè)計(jì)而言，無(wú)論使用何種頻率組件作為電路設(shè)計(jì)時(shí)的參考信號(hào)，均需要一個(gè)穩(wěn)定且質(zhì)量良好的周期信號(hào)，包括良好的波形、duty cycle、較短的爬升時(shí)間及下降時(shí)間（rising time & falling time）、以及準(zhǔn)確重復(fù)性的邊緣時(shí)間。
MEMS技術(shù)設(shè)計(jì)脫穎而出
創(chuàng)新MEMS諧振器
先前絕大部分的電子產(chǎn)品依靠石英晶體來(lái)提供可靠穩(wěn)定的頻率信號(hào)，不過(guò)近幾年由于MEMS技術(shù)設(shè)計(jì)制造的電子零件，在許多應(yīng)用領(lǐng)域不斷提供電子產(chǎn)品創(chuàng)新且質(zhì)優(yōu)的設(shè)計(jì)，其中包括MEMS諧振器零件在許多應(yīng)用開(kāi)始取代石英晶體：例如所謂MEMS振蕩器內(nèi)部所采用的諧振器，即是使用毫米級(jí)大小的MEMS諧振器，作為Mega Hertz級(jí)別的振蕩源。
MEMS振蕩器內(nèi)部設(shè)計(jì)
除了創(chuàng)新諧振器的MEMS技術(shù)，振蕩器內(nèi)部的振蕩電路設(shè)計(jì)亦開(kāi)始進(jìn)行中。傳統(tǒng)石英振蕩器內(nèi)部的振蕩電路，其輸出頻率一般與石英設(shè)計(jì)切割的頻率相同，因此電路設(shè)計(jì)上僅僅采用單純的諧振放大電路或者驅(qū)動(dòng)電路。
在MEMS振蕩器內(nèi)部，采用嶄新的設(shè)計(jì)概念及線路設(shè)計(jì)，使得MEMS振蕩器提供更多可設(shè)定的變動(dòng)頻率參數(shù)，在出貨前通過(guò)量產(chǎn)程序設(shè)定不同參數(shù)，可提供不同應(yīng)用領(lǐng)域的特殊需要。MEMS振蕩器已在許多應(yīng)用領(lǐng)域包括計(jì)算機(jī)周邊相關(guān)產(chǎn)品、消費(fèi)電子、網(wǎng)通設(shè)備、通訊裝置、車用電子、以及工業(yè)產(chǎn)品等，開(kāi)始逐漸取代傳統(tǒng)固定頻率或可編程輸出的石英振蕩器。
這樣的設(shè)計(jì)，簡(jiǎn)化了目前石英振蕩器的冗長(zhǎng)供應(yīng)鏈，縮短廠商的交貨期，同時(shí)能讓使用同一電路設(shè)計(jì)的零件，滿足不同應(yīng)用設(shè)計(jì)的需要，進(jìn)一步協(xié)助系統(tǒng)廠商達(dá)到不同頻率不同參數(shù)的振蕩器一站式采購(gòu)（One Stop Shopping）的目標(biāo)。
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MEMS振蕩器簡(jiǎn)要透視
圖1為MEMS振蕩器的透視圖。以SiTime的MEMS振蕩器為例，其是由兩個(gè)芯片堆棧起來(lái)，下方是CMOS PLL驅(qū)動(dòng)芯片，上方則是MEMS諧振器，以標(biāo)準(zhǔn)QFN IC封裝方式完成。封裝尺寸以及焊接管腳與傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)石英振蕩器的腳位完全兼容，可直接替代原來(lái)石英產(chǎn)品，無(wú)須更動(dòng)任何設(shè)計(jì)。MEMS振蕩器在許多方面都超越石英振蕩器產(chǎn)品，包括全自動(dòng)化生產(chǎn)過(guò)程、穩(wěn)定交貨期、穩(wěn)定的產(chǎn)品質(zhì)量、以及近期和長(zhǎng)期的成本優(yōu)勢(shì)等。
圖1 全硅MEMS振蕩器透視圖
如何制造MEMS諧振器？
有些廠商是用CMOS半導(dǎo)體代工廠的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備以及材料制造全硅MEMS諧振器。由于無(wú)須CMOS半導(dǎo)體廠的額外設(shè)備制及工藝投資，這可提升CMOS產(chǎn)業(yè)利用既有設(shè)備生產(chǎn)更多產(chǎn)品的經(jīng)濟(jì)利基。另外MEMS振蕩器封裝方式亦使用目前半導(dǎo)體封裝廠通用設(shè)備以及標(biāo)準(zhǔn)IC后制封裝流程。
圖2展示一系列MEMS制造的剖面圖。圖2a則顯示通過(guò)窄信道蝕刻方式，從表面切割一空隙至硅晶氧化絕緣層（SOI），生成一諧振結(jié)構(gòu)。這些諧振結(jié)構(gòu)體在震動(dòng)時(shí)，以水平方向在硅晶面上震動(dòng)。
圖2a 從晶圓表面開(kāi)始蝕刻進(jìn)入到氧化絕緣層產(chǎn)生的諧振器以及電極示意圖
如圖2b所示，震動(dòng)空隙上包覆著一層氧化層、硅晶層以及多晶硅層（Polysilicon），在多晶硅層以通過(guò)一些蝕刻的小細(xì)孔將氧化物取出后形成諧振體。
圖2b 氧化物層以及硅質(zhì)排氣層形成后，制造氣孔以排放諧振器內(nèi)部電極間距空間內(nèi)的氣體形成真空
然后硅晶圓被置入1000oC的epitaxial反應(yīng)爐內(nèi)去除雜質(zhì)，并密封之前所蝕刻的小細(xì)孔，以及通過(guò)長(zhǎng)晶生成較厚的硅晶和一層多晶硅電容層。這個(gè)高溫工藝對(duì)諧振體而言也是一個(gè)退火（anneal）的過(guò)程，讓諧振體表面達(dá)到光滑的程度，并將其永久密封在完全真空無(wú)污染的空間中。上述所描述的多晶硅電容層結(jié)構(gòu)非常堅(jiān)硬，可承受接下來(lái)超過(guò)100個(gè)大氣壓壓力的塑模成型工藝（Plastic molding）。
圖2c 完全潔凈的諧振器被密封在極厚的一層保護(hù)用向外長(zhǎng)晶的硅質(zhì)層之下
圖2d則說(shuō)明如何在多晶硅層上生成一導(dǎo)電接點(diǎn)，來(lái)連接至內(nèi)部諧振器的驅(qū)動(dòng)感應(yīng)電極。而后進(jìn)行鋁質(zhì)導(dǎo)電層（Aluminum Layer）長(zhǎng)晶過(guò)程、完成導(dǎo)線（metal trace）以及打線接點(diǎn)生成工藝，并被覆蓋上一層非導(dǎo)電材質(zhì)鈍化層后（passivation layer），完成整個(gè)硅晶圓的生產(chǎn)。
圖2d 在硅質(zhì)層上蝕刻一過(guò)孔，并通過(guò)鋁線及打線接點(diǎn)，將諧振器連接至CMOS驅(qū)動(dòng)電路
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MEMS諧振器微型工藝封裝技術(shù)大要
MEMS諧振器比一般石英晶體要小非常多。標(biāo)準(zhǔn)的硅工藝可輕易制造達(dá)微米級(jí)的產(chǎn)品。一個(gè)完成的MEMS諧振器大小約0.Xmm長(zhǎng)寬，相較于一般長(zhǎng)寬約數(shù)mm的石英晶體，兩者面積可相差百倍。越小的組件表示越能達(dá)成微型封裝的要求，突破以往在水平方向大小以及厚度限制的封裝設(shè)計(jì)，因此廠商可制造最小的差分震蕩器、展頻震蕩器、壓控震蕩器以及薄型震蕩器等。
隨著CMOS工藝技術(shù)的微型化演進(jìn)，MEMS諧振器在同一半導(dǎo)體代工廠，亦可持續(xù)使用先進(jìn)的工藝技術(shù)來(lái)增進(jìn)效能。廠商的諧振器目前利用次微米（sub-micron）電極間距，未來(lái)新一代更精細(xì)的工藝將可進(jìn)一步縮小電極間距。此工藝演進(jìn)可進(jìn)一步改善諧振器輸出的信號(hào)噪聲比（Signal to Noise Ratio；SNR），使得振蕩器亦得以取得更佳的相位噪聲（相噪）規(guī)格。石英晶體卻不具備這樣的工藝優(yōu)勢(shì)，若石英晶體尺寸越小，反而在各方面效能的表現(xiàn)越差，影響包括Q值、相位噪聲和activity dip較差、應(yīng)力敏感度較大、以及頻率范圍更受局限等缺點(diǎn)。
利用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝制造的MEMS諧振器越小，成本也越低，但這卻不適用于石英晶體，當(dāng)石英晶體切割越小則越難設(shè)計(jì)及制造，良率也越來(lái)越低，成本也會(huì)越來(lái)越高。因此當(dāng)大部分電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)都趨向微型化的同時(shí)，石英將越來(lái)越無(wú)法展現(xiàn)應(yīng)有效能，全硅MEMS諧振器將取而代之。
可編程架構(gòu)的全硅MEMS振蕩器特性
石英振蕩器及輸出頻率特性
早期石英振蕩器半導(dǎo)體產(chǎn)品工藝極貴，設(shè)計(jì)趨向單純化，通過(guò)外部一些晶體管電路設(shè)計(jì)，石英振蕩器電路可以很容易被組成并讓石英晶體起振，輸出PC板需要的頻率信號(hào)，因此諧振器電路自然被排除在其它半導(dǎo)體電子電路之中。
振蕩器是根據(jù)一些在電子應(yīng)用產(chǎn)品中的常用頻率來(lái)設(shè)計(jì)、制造并生產(chǎn)。不過(guò)更多的振蕩器是制造廠商為因應(yīng)系統(tǒng)客戶不斷根據(jù)新的應(yīng)用需求和應(yīng)用平臺(tái)而生產(chǎn)。由于振蕩器的規(guī)格繁雜，包括不同的頻率、工作電壓、精準(zhǔn)度、封裝尺寸的要求，使得產(chǎn)品料號(hào)的復(fù)雜度以及數(shù)量都非常繁雜。況且所有石英振蕩器廠商不可能備足庫(kù)存所有規(guī)格的振蕩器，因?yàn)槊恳环N頻率的石英振蕩器，都是根據(jù)內(nèi)部的石英晶體所切割的厚度決定其輸出的頻率。石英晶體切割過(guò)程幾乎是所有振蕩器生產(chǎn)必須歷經(jīng)的第一步，也因此系統(tǒng)客戶必須容忍較長(zhǎng)的產(chǎn)品交付期限。
MEMS振蕩器及輸出頻率特性
MEMS振蕩器則與傳統(tǒng)石英產(chǎn)品不同。無(wú)論輸出頻率為何，MEMS振蕩器均使用同一個(gè)MEMS諧振器。輸出頻率并不是使用不同的MEMS諧振器來(lái)達(dá)成頻率的變化，而是根據(jù)編程并儲(chǔ)存在內(nèi)部非揮發(fā)性內(nèi)存（Non- Volatile Memory；NVM）的數(shù)值，與MEMS諧振器的輸出頻率相乘倍數(shù)后而決定。
這樣的設(shè)計(jì)方式，可快速地把庫(kù)存的MEMS振蕩器，按照客戶需要的電壓以及其它參數(shù)編程后，輸出客戶所需要的頻率。因此，客戶可在較短交貨期限內(nèi)、約在2～3周而無(wú)須3～4個(gè)月，便可取得所需的頻率組件。此外提供給工程設(shè)計(jì)人員 的樣品，則可通過(guò)可攜式編程器立即直接編寫(xiě)提供，或由產(chǎn)線在一天之內(nèi)提供給全球工程人員滿足其設(shè)計(jì)需求。
Sigma-Delta Fran-N PLL倍頻電路設(shè)計(jì)
此外，石英可編程振蕩器內(nèi)部使用環(huán)震蕩鎖相環(huán)（Ring Oscillator PLL）作為其倍頻電路的設(shè)計(jì)。這樣的設(shè)計(jì)容易造成輸出具高抖動(dòng)（jitter）特性的頻率信號(hào)，因此這類振蕩器僅適合精準(zhǔn)度無(wú)須太高的應(yīng)用。MEMS振蕩器廠商在架構(gòu)設(shè)計(jì)上采用所謂Sigma-Delta Fran-N PLL鎖相環(huán)作為倍頻電路，此電路設(shè)計(jì)能夠?qū)EMS諧振器的輸出頻率任意倍頻到所需的頻率，頻率信號(hào)的抖動(dòng)特性與一般石英振蕩器相較則更優(yōu)。
提升穩(wěn)定性
集成電路的穩(wěn)定性一般是用平均無(wú)故障時(shí)間（Mean Time Between Failure；MTBF）作為衡量標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)的衡量單位為小時(shí)，數(shù)字越高表示產(chǎn)品越可靠。一般半導(dǎo)體產(chǎn)品的典型數(shù)值約為500個(gè)百萬(wàn)小時(shí)MTBF，即便是一線大廠的石英振蕩器產(chǎn)品，其MTBF值也僅僅是30百萬(wàn)小時(shí)。
MEMS振蕩器封裝技術(shù)優(yōu)勢(shì)
經(jīng)過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的晶圓減薄以及晶圓切片，MEMS諧振器以及CMOS倍頻驅(qū)動(dòng)芯片被塑模封裝到標(biāo)準(zhǔn)芯片塑料封裝之中。廠商會(huì)使用穩(wěn)定性高、低引線電感以及高熱性能的QFN塑料注塑成型的封裝工藝，因此也具備高穩(wěn)定性、低成本、以及彈性焊盤(pán)設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)，產(chǎn)品封裝也需滿足潮氣敏感等級(jí)1的標(biāo)準(zhǔn)（Moisture Sensitivity Level 1；MSL/1），滿足無(wú)限期儲(chǔ)存、無(wú)須任何干濕度條件限制的環(huán)境。這些封裝產(chǎn)品可替代石英振蕩器，并直接置入原來(lái)PCB電路板上為石英振蕩器所設(shè)計(jì)的焊盤(pán)位置。另外，這些不同封裝組件的厚度也從0.75～0.90mm不等。
由于MEMS諧振器較所有石英晶體更薄，因此廠商得以利用相關(guān)技術(shù)制造厚度僅達(dá)0.25mm的精準(zhǔn)振蕩器。高度整合MEMS技術(shù)、低功耗電路設(shè)計(jì)和電路模塊，超小超薄封裝的MEMS振蕩器對(duì)于可攜式產(chǎn)品的設(shè)計(jì)特具吸引力，其可編程功能更可滿足消費(fèi)電子產(chǎn)品快速開(kāi)發(fā)周期、短期內(nèi)大量交貨的發(fā)展特性。
圖3 超薄MEMS振蕩器與一般石英振蕩器的厚度比較示意圖
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MEMS振蕩器種類
高效能振蕩器
MEMS振蕩器用一個(gè)塑料封裝整合了MEMS諧振器以及一個(gè)諧振倍頻電路。這樣的振蕩器可用在任何使用傳統(tǒng)石英振蕩器的應(yīng)用電路之中，包括PCI-Express、SATA、SAS、PCI、USB、Gigabit Ethernet、MPEG Video、Cable Modem等領(lǐng)域。
低功耗振蕩器
手持式產(chǎn)品應(yīng)用一般在設(shè)計(jì)上需要考慮低功耗、快速啟動(dòng)以及微型化尺寸等。 MEMS振蕩器整合使用硅晶元來(lái)設(shè)計(jì)的MEMS諧振器以及對(duì)應(yīng)的諧振倍頻芯片，可滿足相關(guān)產(chǎn)品設(shè)計(jì)需求。這類產(chǎn)品會(huì)是大部分需要依賴電池供電的手持式裝置的最佳選擇方案，能夠在睡眠模式和全功能工作模式之間迅速切換。
薄型振蕩器
薄型振蕩器可應(yīng)用在諸如如HC-SIM（High-Capacity SIM）卡、智能卡、SIP模塊、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)以及其它手持式裝置內(nèi)。一般SIM卡的厚度約為0.76mm，約相當(dāng)于典型石英晶體振蕩器的厚度，這會(huì)限制傳統(tǒng)石英振蕩器無(wú)法應(yīng)用于該類產(chǎn)品。相對(duì)于石英振蕩器，厚度僅達(dá)0.25mm的薄型振蕩器，提供足夠的產(chǎn)品封裝以及其它材料如基板等所需空間，完全符合該類產(chǎn)品設(shè)計(jì)所需，可參閱圖3所示。
展頻振蕩器
任何電子產(chǎn)品都需要通過(guò)EMI測(cè)試，例如FCC Class A或Class B，以確保產(chǎn)品不會(huì)因?yàn)殡姶泡椛涓蓴_其它室內(nèi)或辦公室內(nèi)的電子產(chǎn)品。一般而言通常是在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)階段完成后進(jìn)入量產(chǎn)階段前，進(jìn)行EMI測(cè)試。改善EMI問(wèn)題的方式是修改電路板的布板方式，或者使用外蓋屏閉，二者的時(shí)間成本或材料成本均耗費(fèi)不貲。
另一種可行解決方案是使用展頻振蕩器（Spread Spectrum Oscillator），來(lái)降低系統(tǒng)輻射出來(lái)的EMI電磁輻射干擾。圖4則顯示一個(gè)單頻信號(hào)的頻譜圖以及對(duì)該信號(hào)展頻后的頻譜圖。從圖中可知展頻后的頻率信號(hào)如何降低原來(lái)在接近100MHz的峰值。
圖4 單一頻率頻率與展頻后頻率的頻譜分析比較圖。圖中顯示，展頻后的頻率信號(hào)頻譜較原來(lái)單頻信號(hào)有較低的平均功率，因此可降低系統(tǒng)電磁輻射干擾
廠商在設(shè)計(jì)展頻振蕩器時(shí)，將焊盤(pán)設(shè)計(jì)完全兼容一般標(biāo)準(zhǔn)振蕩器的焊盤(pán)設(shè)計(jì)。這樣的考慮使得設(shè)計(jì)人員得以在設(shè)計(jì)初期階段使用一般標(biāo)準(zhǔn)振蕩器；而在設(shè)計(jì)完成階段，如需利用展頻技巧通過(guò)EMI測(cè)試，則可選擇展頻振蕩器直接置入原PCB布板設(shè)計(jì)之振蕩器焊盤(pán)位置，無(wú)須更改任何線路，可節(jié)省工程設(shè)計(jì)時(shí)間和成本，縮短上市時(shí)程。
頻率（頻率）產(chǎn)生器
頻率產(chǎn)生器是將多個(gè)振蕩器置入單一封裝的組件。對(duì)于需要多組頻率頻率信號(hào)的復(fù)雜系統(tǒng)非常有效。廠商設(shè)計(jì)包括有多個(gè)CMOS輸出以及多個(gè)差分輸出的頻率產(chǎn)生器，內(nèi)建獨(dú)立且無(wú)倍頻關(guān)系的頻率信號(hào)輸出設(shè)計(jì)，亦可分別控制是否輸出，以及不同工作電壓之設(shè)計(jì)。
簡(jiǎn)單、可靠具成本效率的MEMS技術(shù)
MEMS振蕩器已進(jìn)入量產(chǎn)階段，并已出貨超過(guò)數(shù)百萬(wàn)顆產(chǎn)品，這些振蕩器具備易用、焊盤(pán)結(jié)構(gòu)、功能兼容的優(yōu)點(diǎn)，可直接取代舊式生產(chǎn)的石英組件。提供更小、更薄的MEMS振蕩器應(yīng)用在手持式裝置內(nèi)，一直是廠商設(shè)計(jì)關(guān)注的焦點(diǎn)。MEMS技術(shù)也正在藉由各種方式，對(duì)傳統(tǒng)石英產(chǎn)業(yè)進(jìn)行“硅化工程”。
