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石英晶振的作用及在5G中的作用
晶振一般叫做晶體諧振器，是石英晶體振蕩器（Quartz Crystal Oscillator）的簡稱。主要用于穩定和選擇頻率。
2019-10-22
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MOSFET結構及其工作原理詳解
MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。
2019-10-21
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Digi-Key將為在中國大陸、中國臺灣、印度和韓國舉辦的Microchip技術精英年會提供贊助
美國 , 明尼蘇達州 , 錫夫里弗福爾斯市 - 2019 年 10 月 17 日。全球電子元器件分銷商 Digi-Key Electronics 宣布將為 11 月和 12 月舉行的七場 Microchip 技術精英年會 (MASTER) 活動提供贊助，分別作為中國大陸所有三場年會的金牌贊助商、印度年會的銀牌贊助商、韓國年會的白金贊助商以及中國臺灣兩場年會的銀牌贊助商。
2019-10-18
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縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區別
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。
2019-10-15
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這篇文章讓你掌握PCB信號完整性五步曲
很多時候，PCB走線中途會經過過孔、測試點焊盤、短的stub線等，都存在寄生電容，必然對信號造成影響。走線中途的電容對信號的影響要從發射端和接受端兩個方面分析，對起點和終點都有影響。
2019-10-11
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西門子S7300實現特殊繼電器功能的方法
西門子PLC S7-200的編程軟件STEP 7 MicroWIN V4.0 SP9中，有一些特殊繼電器，可以幫助用戶實現特定的功能。本文下面為您介紹西門子PLC S7-300中實現特殊繼電器功能的方法，大家可以進行參考。
2019-09-16
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干貨：電路設計的全過程（含原理圖）
開關電源的設計是一份非常耗時費力的苦差事，需要不斷地修正多個設計變量，直到性能達到設計目標為止。本文step-by-step 介紹反激變換器的設計步驟，并以一個6.5W 隔離雙路輸出的反激變換器設計為例，主控芯片采用NCP1015。
2019-09-03
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一文帶你認識全類型“電阻”！
電阻（Resistance，通常用“R”表示），是一個物理量，在物理學中表示導體對電流阻礙作用的大小。導體的電阻越大，表示導體對電流的阻礙作用越大。不同的導體，電阻一般不同，電阻是導體本身的一種特性。電阻將會導致電子流通量的變化，電阻越小，電子流通量越大，反之亦然。而超導體則沒有電阻。
2019-09-02
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工程師實戰干貨分享：77條STM32知識匯總
以下是工程師結合自己的工作實戰經驗分享，總共有77條STM32知識匯總，建議收藏！SYSCLK時鐘源有三個來源：HSI RC、HSE OSC、PLL等。
2019-08-13
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屏蔽效能分析
屏蔽效能表現了屏蔽體對電磁波的衰減程度。由于屏蔽體通常能將電磁波的強度衰減到原來的百分之一至萬分之一, 因此通常用分貝(dB)來表述。一般的屏蔽體的屏蔽效能可達40 dB, 軍用設備的屏蔽體的屏蔽效能可達60 dB, TEMPEST設備的屏蔽體的屏蔽效能可達80 dB以上。
2019-08-06
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MOS管簡介以及判定電極、放大能力的方法
MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，屬于絕緣柵型。
2019-08-05
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CMOS電路的ESD保護結構設計
靜電放電（ESD - ElectroStatic Discharge）會給電子器件帶來破壞性的后果，是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發展，CMOS電路的尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來越薄，芯片的面積規模越來越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來越小，而外圍的使用環境并未改變，因此要進一步優化電路的抗ESD性能。
2019-08-05
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