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英飛凌推出CoolSiC 1200V SiC JFET器件 開關(guān)損耗大幅降低
英飛凌推出新的CoolSiC 1200V SiC JFET 系列，與IGBT相比，新型 CoolSiC 1200V SiC JFET大幅度降低了開關(guān)損耗，在不犧牲系統(tǒng)總體效率的情況下，可以支持更高的開關(guān)頻率。設(shè)計人員可在不增加太陽能逆變器體積的情況下，實現(xiàn)更高的輸出功率。
2012-06-21
CoolSiC SiC 碳化硅 直驅(qū) 太陽能逆變器 英飛凌
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怎樣正確合理地選用DC/DC模塊電源
怎樣正確合理地選用DC/DC模塊電源呢，筆者將從DC/DC模塊電源開發(fā)設(shè)計的角度，結(jié)合近年來鼎立信公司模塊電源推廣使用過程中得到的用戶信息反饋，談一談這方面的問題，以供廣大系統(tǒng)設(shè)計人員參考。
2012-06-21
DC/DC 模塊電源
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如何查找適用于您應(yīng)用的降壓轉(zhuǎn)換器類型
降壓電源轉(zhuǎn)換器自 20 世紀(jì) 60 年代開始應(yīng)用于電子元件，自那以后，人們開發(fā)出了眾多基于降壓電源轉(zhuǎn)換原理的型號。 特別是 IC 制造商開發(fā)了許多不同類型的控制電路，可以滿足各種不同的靜態(tài)和動態(tài)響應(yīng)要求。此高密謀意味著，對于需要指定電源 IC 但又非電源專家的設(shè)計工程師來說，這是件令人頭痛的事...
2012-06-21
降壓 轉(zhuǎn)換器
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羅姆推出耐壓30V功率MOSFET，產(chǎn)品陣容擴充達16種
近年來，隨著服務(wù)器和筆記本電腦等的高性能化發(fā)展，CPU等的功耗不斷增加，工作電壓越發(fā)低電壓化，設(shè)備的電源電路的溫升和電池驅(qū)動時間減少已成為很大問題。在這種情況下，在同期整流方式降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器等各種電源電路中內(nèi)置功率MOSFET，使之承擔(dān)與提高電源的電力轉(zhuǎn)換效率直接相關(guān)的重要作用。為...
2012-06-20
羅姆 MOSFET DC/DC
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電源效率的新突破：LLC 輸出的同步整流
隨著“整個負載范圍內(nèi)都保持超高的效率”這一要求成為產(chǎn)品規(guī)格的一部分，設(shè)計工程師在評審 AC/DC 電源拓撲時都將減少能耗作為具體的目標(biāo)。 圖 1顯示了一個能提供一流效率的拓撲示例。 本文由 Future Electronics(EMEA) 公司的技術(shù)項目經(jīng)理John Stephens 編著，應(yīng)廣大 IC制造商的要求介紹了如何處理此...
2012-06-20
電源 LLC 輸出 同步整流
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飛兆半導(dǎo)體開發(fā)FPS?綠色模式功率開關(guān)器件
開關(guān)電源(Switch mode power supply, SMPS)設(shè)計人員需要節(jié)省空間的高成本效益電源解決方案，具有高能量效率，優(yōu)化的系統(tǒng)性能和更高的可靠性。為了幫助應(yīng)對這些設(shè)計復(fù)雜性挑戰(zhàn)，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FSL206MRx集成式脈寬調(diào)制器(PWM)控制器。
2012-06-19
飛兆 FSL206MRx SMPS
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TDK-EPC新款1608積層功率電感器適用于便攜設(shè)備電源回路
TDK-EPC開發(fā)了積層功率電感器MLP1608-V系列，該產(chǎn)品采用低損耗鐵氧體為磁性材料，外形為1608，與2012系列相比，體積減少約50%，主要應(yīng)用于智能電話、手機、數(shù)碼相機等移動設(shè)備的電源回路。
2012-06-19
功率電感 MLP1608-V 電源回路 TDK-EPC
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技術(shù)觀點：解密準(zhǔn)共振 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計
與返馳式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器拓撲相比，準(zhǔn)共振設(shè)計不僅能提供高能效，而且生成的電磁干擾 (EMI) 也較低，使得它特別適合噪音敏感的應(yīng)用，例如電視機或音頻設(shè)備。然而，實施工作變得更加龐大，令工程師感到恐懼，這往往使工程師推遲探索上述這些好處。在這篇文章中，F(xiàn)uture Electronics（波蘭）的技術(shù)經(jīng)理 ...
2012-06-19
準(zhǔn)共振 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
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羅姆實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET一體化封裝 可替代Si-IGBT
羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝，與Si-IGBT相比，工作損耗降低了70％，達到50kHz以上的開關(guān)頻率
2012-06-18
SiC-SBD SiC-MOSFET IGBT 羅姆 逆變器
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