開關(guān)變壓器初、次級線圈的分布電容，對開關(guān)電源性能指標的影響也很重要，它會與變壓器線圈的漏感組成振蕩回路產(chǎn)生振蕩。當(dāng)輸入脈沖電壓的上升或下降率大于振蕩波形的上升或下降率的時候，振蕩回路就吸收能量，使輸入脈沖波形的前、后沿都變差；而當(dāng)輸入脈沖電壓的上升或下降率小于振蕩波形的上升或下降率的時候，振蕩回路就會釋放能量，使電路產(chǎn)生振蕩。如果振蕩回路的品質(zhì)因數(shù)比較高，電路就會產(chǎn)生寄生振蕩，并產(chǎn)生EMI干擾。
另外，開關(guān)電源電壓輸入回路的濾波電感，其分布電容的大小對EMC指標的影響非常大，因此在這里也需要對濾波電感線圈的分布電容構(gòu)成以及原理有充分的理解。從原理上來說，濾波電感線圈的分布電容與開關(guān)變壓器線圈的分布電容基本上是沒有根本區(qū)別的，因此，對變壓器線圈分布電容的分析與計算方法，對濾波電感線圈同樣有效。
開關(guān)變壓器初、次級線圈的分布電容與結(jié)構(gòu)有關(guān)，因此，要精確計算不同結(jié)構(gòu)的開關(guān)變壓器初、次級線圈的分布電容難度比較大。下面我們先以最簡單的雙層線圈結(jié)構(gòu)的開關(guān)變壓器為例，計算它們的初級或次級線圈的分布電容。
圖2-41是分析計算開關(guān)變壓器線圈之間分布電容的原理圖。
設(shè)圓柱形兩層線圈之間的距離為d，高度為h，平均周長為g 。假定兩層線圈之間沿高度的電位差為線性變化，即：
設(shè)兩個線圈相對應(yīng)的兩表層間的電場近似均勻分布，即近似平板電容器的電場，那么，根據(jù)（2-112）式就可以求得該電場貯存的能量為：
[page]由此可以求得變壓器初級或次級兩層線圈之間分布電容的表達式：
對于圖2-42-b，可求得變壓器初級或次級兩層線圈之間的分布電容為：
由此可知，變壓器初級或次級兩層線圈之間的分布電容，除了與變壓器線圈的高度、周長、兩層線圈之間的距離等參數(shù)相關(guān)外，還與兩層線圈之間的電位差有關(guān)。
為了更好地對多層線圈的分布電容進一步進行分析，我們把（2-114）式改寫成一個靜態(tài)電容與一個動態(tài)系數(shù)相乘的形式，即：
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當(dāng)變壓器的線圈為多層時，我們只需反復(fù)利用（2-117）式來對相鄰兩層之間的分布電容獨立進行計算，然后把結(jié)果相加即可。如果一定要寫出計算多層線圈分布電容的表達式，則變壓器多層線圈的分布電容可表示為：
由此可以知道，變壓器線圈的總分布電容的大小主要與線圈的層數(shù)（n-1）成正比，與層間的距離d成反比，并且與變壓器線圈的連接方法還有關(guān)。
因此，我們不能把各層之間的分布電容當(dāng)成普通電容的概念來理解。普通電容互相串聯(lián)時，總電容的容量，總是小于其中任意一個電容的容量；而變壓器線圈的層間分布電容看起來是屬于串聯(lián)，但其結(jié)果是越串連越大。這是為什么呢？這是因為變壓器線圈層間分布電容的電壓主要不是靠串聯(lián)回路來充電的，而是靠線圈之間互相感應(yīng)產(chǎn)生的。
不但如此，變壓器次級線圈的分布電容同樣也要感應(yīng)到初級線圈來。大多數(shù)場合，在考慮變壓器線圈總的分布電容的時候，一般都需要把初、次級線圈的分布電容一起來考慮。例如，電視機的高壓包，其次級線圈繞組的分布電容一般都很大，折算到初級線圈后，初級線圈總的分布電容就更大，一般可達好幾千微微法，如不采取分段繞線措施，最大可達好幾萬微微法。
直接對變壓器線圈的總分布電容進行測試是有些困難的，但可以測試每層線圈之間的靜態(tài)電容，方法是要把圖2-42中線圈層與層之間的連線斷開；然后把測量結(jié)果乘以一個動態(tài)系數(shù)，即得到本層的分布電容，最后把各層的分布電容全部相加即可得到總分布電容。
如果不考慮變壓器次級線圈對初級線圈的影響，對于一個功率大約為100瓦的開關(guān)變壓器，其初級線圈的分布電容大約在100~2000微微法之間；如果把次級線圈的分別電容也考慮進去，總的分布電容可能要大一倍左右。因此，分布電容對輸出波形的影響也是很大的。
為了減少變壓器線圈的分布電容，特別是EMC濾波器線圈的分布電容，最好不要把線圈分成多層疊繞，而是把線圈分段來繞，這樣可以降低（2-119）式或（2-120）式中每層線圈的高度h，從而可以減小線圈總的分布電容。
