- 以后政府將加大對分立器件廠商的扶持力度
- 市場對半導(dǎo)體分立器件的要求越來越高
- 一些高功率的分立器件將在未來多種應(yīng)用中將扮演重要角色
- 2008中國的分立器件出貨量為2,461億只，比07年下滑1.1%，而銷售額更是增長12.3%，達(dá)到938億元
“今天在會上我聽到最溫暖的一句話就是今后我們半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)將劃歸工信部信息產(chǎn)品司集成電路處管理，關(guān)白玉處長的這句話令我們非常激動。”在前不久深圳舉辦的2009中國半導(dǎo)體分立器件市場年會上長電科技副董事長于燮康在大會上表示，“這表示以后政府將加大對分立器件廠商的扶持力度。”長期以來，看到自己的同胞兄弟(集成電路廠商)不斷享受各種扶持政策，而自己只能作為旁觀者的分立器件廠商這下終于等到了平等權(quán)益的這一天。
事實(shí)上，隨著市場對半導(dǎo)體分立器件的要求越來越高，一些先進(jìn)分立器件的技術(shù)水平與集成電路不相上下，特別是一些特殊的高功率、高壓分立器件，需要非常高的技術(shù)門檻，享受與集成電路企業(yè)一樣的“高新技術(shù)企業(yè)”待遇是早就應(yīng)該解決的事情。“雖然有越來越多的分立器件集成到IC中，但是分立器件將是不可替代的，其低成本性、靈活應(yīng)用特性、可靠性以及且采購渠道和資源豐富等特點(diǎn)決定了用戶對它的持續(xù)需求。”于燮康說道，“特別是一些高功率的分立器件，是未來多種應(yīng)用中將扮演重要的角色。”比如在將來的混合電力純電力汽車中，高功率分離器件將扮演重要角色，這也是中國很多分立器件廠商目前的研發(fā)方向。
2008年在全球市場大幅下滑的情況下，中國的分立器件出貨量為2,461億只，比07年下滑1.1%，而銷售額更是增長12.3%，達(dá)到938億元，好于其它市場。“2008年我國分立器件產(chǎn)銷的一大亮點(diǎn)主要得益于全球電子整機(jī)對節(jié)能、環(huán)保需求的不斷增長，這一方面帶動了分立器件產(chǎn)品的需求增長，另一方面也帶動了市場產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的快速升級。”于燮康解釋。產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的快速升級帶來的是銷售額比產(chǎn)量更快速地增長。“未來幾年，分立器件將向微型化、片式化、高性能化方向發(fā)展，功率分立器件大有作為。同時，汽車電子市場對功率器件的需求也迅速增長。”
劃歸集成電路管理處后，半導(dǎo)體分立器件企業(yè)將有可能享受與集成電路企業(yè)一樣的扶持政策，這將為分立器件業(yè)的發(fā)展注入一股強(qiáng)大的催化劑。不過，會上中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會秘書長徐小田對《國際電子商情》表示，大家不要對“兩稅”的減免寄予過高的期望。“一號文件中規(guī)定了對高新技術(shù)企業(yè)所得稅減半，如果評不上高新企業(yè)就不能享受這個待遇；另外增值稅減免對集成電路企業(yè)也沒有特殊待遇，現(xiàn)在是陽光普照，對國內(nèi)進(jìn)口設(shè)備同樣待遇。”他接著指出，“兩稅政策就那樣了，企業(yè)不要再寄予過高的希望。另一方面也說明，企業(yè)不要太過依賴于減免稅政策，要從自身創(chuàng)新尋求發(fā)展。包括資本、人才、技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新。”
分立器件業(yè)的發(fā)展趨勢
半導(dǎo)體分立器件通?？偸茄刂β?、頻率兩個方向發(fā)展，發(fā)展新的器件理論、新的結(jié)構(gòu)，出現(xiàn)各種新型分立器件。于燮康指出以下幾種熱門半導(dǎo)體分立器件的發(fā)展方向
一、發(fā)展電子信息產(chǎn)品急需的高端分立器件，如SiGaAs微波功率器件、功率MOS器件、光電器件、變?nèi)莨芗靶ぬ鼗O管等；
二、發(fā)展以SiGe、SiC、InP、GaN等化合物半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的新型器件；
三、跟蹤世界半導(dǎo)體分立器件發(fā)展趨勢，加強(qiáng)對納米器件、超導(dǎo)器件等領(lǐng)域的研究；
四、分立器件封裝技術(shù)的發(fā)展，要以片式器件為發(fā)展方向，以適應(yīng)各種電子設(shè)備小型化、輕量化、薄型化的需要。
中國電科集團(tuán)南京電子器件研究所單片集成電路與模塊國家級重點(diǎn)實(shí)驗室邵凱對微波器件的發(fā)展趨勢發(fā)表如下看法：微波器件的應(yīng)用主要分為三大類：以手機(jī)射頻功放為代表的輸出功率小于5W，工作頻率為S波段以下的中功率射頻器件；以移動通信基站功放為代表的大功率射頻器件；以及主要用于通信、雷達(dá)等領(lǐng)域的X波段及更高頻率的微波毫米波功率器件。
它涉及到的半導(dǎo)體材料包括第一代的硅，第二代的砷化鎵、磷化銦以及第三代的氮化鎵和碳化硅等。不同材料適合不同應(yīng)用。目前砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(GaAs HBT)是手機(jī)射頻功放的主流技術(shù)；移動通信基站功放則主要用硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)器件(Si LDMOS)；微波毫米波功放主要用砷化鎵配高電子遷移率晶體管(GaAs pHEMT)。但其它材料和器件結(jié)構(gòu)也在參與激烈競爭，尤其是第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的出現(xiàn)帶來了新的希望。
中國電子科技集團(tuán)公司趙正平則指出，GaN HEMT在微波毫米波領(lǐng)域有了突破性進(jìn)展，目前正處于從科研向工程化轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵時期。由于其高的擊穿場強(qiáng)，高電子飽和速度，高的兩維電子氣濃度，SiC襯底的高熱導(dǎo)率，使得GaN HEMT的微波功率密度比Si、GaAs微波器件提高了十倍以上。預(yù)期2010年GaN HEMT將在軍民用系統(tǒng)中獲得應(yīng)用。
