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關斷柵極電壓欠沖對SiC MOSFET導通行為的影響
本文探討了關斷時發生的柵極電壓欠沖對導通開關特性的影響。這種影響來自于閾值電壓的遲滯效應，指柵偏壓變化時，閾值電壓的完全可恢復瞬態偏移。閾值電壓的遲滯效應是由半導體-絕緣體界面缺陷中，電荷的短期俘獲和釋放引起的。因此，關斷時的柵極電壓欠沖會對碳化硅（SiC）MOSFET的開關特性產生影響。
2022-09-20
柵極電壓欠沖 SiC MOSFET 導通
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打破電動汽車“里程焦慮”，主驅能效如何升級？
因續航能力有限而導致的“里程焦慮”是許多消費者采用電動車的一個障礙。增加電池密度和提高能量轉換過程的效率是延長車輛續航能力以緩解這種焦慮的關鍵。能效至關重要的一個關鍵領域是主驅逆變器，它將直流電池電壓轉換為所需的交流驅動，以為電機供電。
2022-09-19
電動汽車 主驅能效
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自動駕駛汽車的未來趨勢：集中式傳感器融合
現如今，大多數自動駕駛汽車都依靠傳感器融合，即將毫米波雷達、激光雷達和攝像頭的多傳感器數據以一定的準則進行分析和綜合來收集環境信息。正如自動駕駛汽車行業巨頭們所證明的那樣，多傳感器融合提高了自動駕駛汽車系統的性能，讓車輛出行更安全。
2022-09-19
自動駕駛 趨勢 傳感器
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瑞薩電子發布全新Resolver 4.0目錄，提供80款市場成熟的電感式位置傳感器設計
2022 年 9 月 15 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出面向汽車和工業電機領域創新電感式位置傳感器的全新Resolver 4.0參考設計目錄。借助該目錄，工程師們現可擁有80款基于IPS2電機換向傳感器的即時設計資源，每款參考設計都針對獨特的電機軸或極對配置...
2022-09-16
瑞薩電子 電感式 位置傳感器
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電源噪聲對高速DAC相位噪聲影響有多大？如何消除它？
在所有器件特性中，噪聲可能是一個特別具有挑戰性、難以掌握的設計課題。本文主要介紹電源噪聲對于高速DAC相位噪聲的影響。
2022-09-16
電源噪聲 高速DAC 相位噪聲
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安森美獲蔚來“守望獎”
中國上海—2022年9月13日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，在蔚來于2022年7月30日舉行的合作伙伴大會上獲其授予“守望獎”。作為蔚來體系中值得信賴的關鍵技術供應商，安森美通過多種渠道確保對蔚來的供貨支持，包括專職負責順利生產和交付流程的小組。
2022-09-14
安森美 蔚來 SiC模塊
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深入剖析高速SiC MOSFET的開關行為
本文探討了影響高速SiC MOSFET開關特性的關鍵因素，包括器件特性、工作條件和外部電路；解釋了開關損耗的主要影響因素，并確定了影響器件行為和使用的重要因素，這些因素可以顯著提升SiC MOSFET在功率電路中的開關性能。
2022-09-13
SiC MOSFET 開關
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巧用LC濾波器額，改善高速DAC電源相位噪聲！
對于高速DAC供電電源的選擇，LDO是久經考驗的穩壓器，尤其適合用來實現優質噪聲性能。相關技術資訊，可參閱文章：選擇超低噪聲的LDO來改善相位噪聲 。
2022-09-13
LC濾波器 DAC 相位噪聲
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如何為無線狀態監控系統選擇最佳MEMS傳感器（上篇）
如今MEMS加速度計性能快速提升，擁有更低功耗、更小尺寸、更高集成度、更寬帶寬以及低于100μg/√Hz的噪聲水平等，并可基于無線解決方案代替有線系統，以小巧輕便的三軸模擬器件取代單軸笨重的壓電傳感器，讓經濟高效地連續監控暴增的機器設備成為可能。對于維護和設施工程師而言，這意味著可通過全新...
2022-09-13
無線狀態監控 MEMS傳感器
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