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在當今高壓半導體器件上執(zhí)行擊穿電壓和漏流測量
在經(jīng)過多年研究和設計之后，碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN)功率器件正變得越來越實用。這些器件盡管性能很高，但它們也帶來了許多挑戰(zhàn)，包括柵極驅(qū)動要求。SiC要求的柵極電壓(Vgs)要高得多，在負偏置電壓時會關閉。GaN的閾值電壓(Vth)則低得多，要求嚴格的柵極驅(qū)動設計。寬帶隙(WBG)器件由于物理特點，...
2022-01-27
高壓半導體器件 擊穿電壓 漏流測量
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擔心柵極驅(qū)動器的絕緣能力？采用'BIER'測試吧
最新的寬帶間隙（WBG）半導體正走向最理想的狀態(tài)，也就是具有高電壓和低損耗的超快速切換，而現(xiàn)代的MOSFET和溝槽IGBT也可以有高dV/dt和di/dt。然而，下橋臂電路中的快速切換會將瞬態(tài)電壓耦合到柵極驅(qū)動電路，從而造成混亂或損壞，同時上橋臂柵極驅(qū)動器的信號和電源隔離還會受到應力影響。本文將探討...
2022-01-27
柵極驅(qū)動器 絕緣能力 BIER測試
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談一談電源系統(tǒng)噪聲來源
今天在和朋友交流電力電子的問題時談到了電源系統(tǒng)的噪聲的問題。這里面牽扯到了如何更好的設計電源系統(tǒng)和如何更好的設計電子產(chǎn)品系統(tǒng)。電源系統(tǒng)涉及能源的轉(zhuǎn)換、電源的轉(zhuǎn)換、電源的傳遞等等。對于電子產(chǎn)品而言，電源主要是交流（AC）通過電源模塊轉(zhuǎn)化為直流（DC）、DC轉(zhuǎn)遞給用電端（負載芯片）使用...
2022-01-27
電源系統(tǒng) 噪聲 來源
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金虎賀歲 | 微信小程序連續(xù)簽到送好禮……
值此新春佳節(jié)來臨之際，我愛方案網(wǎng)特針對平臺注冊的新老用戶，推出“連續(xù)登錄抽獎”活動，獎品包括青銅/白銀/黃金競標卡若干和會員優(yōu)惠券。
2022-01-26
微信小程序 簽到
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詳解時域瞬態(tài)分析技術
當打開或關閉 LED 時，隨著光線變亮或變暗有一個緩慢的過渡。這種類型的瞬態(tài)行為非常簡單，但這是一個電子系統(tǒng)改變狀態(tài)時的基本反應。使用瞬態(tài)分析可以充分理解時域中的信號轉(zhuǎn)換，以及它們與重要系統(tǒng)參數(shù)的關系。
2022-01-26
時域瞬態(tài)
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貿(mào)澤電子授權(quán)分銷超49000種Amphenol產(chǎn)品
2022年1月26日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 分銷全球知名互聯(lián)系統(tǒng)供應商Amphenol Corporation的新款產(chǎn)品和解決方案。貿(mào)澤備貨Amphenol及其41個部門的全系列產(chǎn)品，總數(shù)超過49600種。
2022-01-26
貿(mào)澤電子 授權(quán)分銷 Amphenol
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SRII推出兩款ALD新品，滿足泛半導體應用多功能性和靈活性的需求
原子層沉積（ALD）工藝被認為是邏輯和存儲半導體器件微縮化的重要推動力。過去20年，ALD工藝及設備已經(jīng)廣泛應用于邏輯和存儲器件的大批量制造，不斷推動諸如動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）、先進的鰭式場效應晶體管（FinFET）以及柵極環(huán)繞晶體管等器件性能的改進與創(chuàng)新。隨著摩爾定律放緩，ALD工藝逐漸...
2022-01-26
SRII ALD 泛半導體
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