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第5講：SiC的晶體缺陷
SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。
2024-09-12
SiC 晶體缺陷
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如何正確使用二極管
二極管和晶體管都是如此，它們由二極管 P 和 N 材料制成。二極管類別包括兩個可能對控制工程師很重要的例子：硅二極管和 LED。
2024-09-12
二極管
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艾邁斯歐司朗亮相2024 CIOE，多款創新產品引領光電新潮
全球領先的光學解決方案供應商艾邁斯歐司朗（瑞士證券交易所股票代碼：AMS）今日宣布，將攜傳感、光源和可視化領域最新產品和技術組合，亮相第二十五屆中國國際光電博覽會（CIOE）。作為新質生產力的代表，光電技術正高效賦能千百行業，不僅重塑傳統制造業，推動智能制造與工業自動化邁向新高度，更...
2024-09-12
艾邁斯歐司朗 光電
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半導體后端工藝 第十一篇（完結篇）：半導體封裝的可靠性測試及標準
本系列文章詳細介紹了半導體后端工藝，涵蓋了從不同類型的半導體封裝、封裝工藝及材料等各個方面。作為本系列的收篇之作，本文將介紹半導體的可靠性測試及標準。除了詳細介紹如何評估和制定相關標準以外，還將介紹針對半導體封裝預期壽命、半導體封裝在不同外部環境中的可靠性，及機械可靠性等評估...
2024-09-12
半導體 后端工藝 封裝
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充電器基礎知識以及電量計分區為何如此重要
電池充電系統的關鍵組件是充電器本身和電量計，電量計可電池充電狀態 (SOC)、電量耗盡時間和充滿電時間等指標。電量計可在主機端或電池組中實現（見圖 1）。
2024-09-11
充電器 電量計分區
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為什么存儲系統的性能對AI工作負載至關重要？
數據是各種現代企業的生命線，而數據存儲、訪問與管理策略對企業的生產力、盈利能力以及競爭力會產生顯著影響。隨著人工智能（AI）的興起，各行各業都在經歷變革，企業不得不重新思考如何利用數據來加速創新和增長。然而，AI訓練和推理對數據管理和存儲提出了獨特的挑戰，因為它們需要處理龐大的數...
2024-09-11
存儲系統 AI 工作負載
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第4講：SiC的物理特性
SiC作為半導體功率器件材料，具有許多優異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度，可實現高耐壓。與另一種寬禁帶半導體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備...
2024-09-11
SiC
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