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MOSFET的寄生電容是如何影響其開關(guān)速度的？
我們應(yīng)該都清楚，MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質(zhì)層，因此柵源和柵漏之間必然存在一個寄生電容CGS和CGD，溝道未形成時，漏源之間也有一個寄生電容CDS，所以考慮寄生電容時，MOSFET 的等效電路就成了圖 2 的樣子了。
2020-11-03
MOSFET 寄生電容 開關(guān)速度
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能一并搞定供電和傳輸數(shù)據(jù)的解決方案
在過程自動化系統(tǒng)中，必須監(jiān)測和測量溫度、壓力、流速、濕度等重要參數(shù)。在工業(yè)4.0時代，以太網(wǎng)是通用通信標(biāo)準(zhǔn)。由于以太網(wǎng)是有線網(wǎng)，而發(fā)送器和傳感器通常需要電源，這樣問題就來了：為何不使用以太網(wǎng)電纜同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸和供電？
2020-11-03
供電 傳輸數(shù)據(jù)
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簡化汽車和工業(yè)領(lǐng)域的功能安全認(rèn)證
合理的功能安全設(shè)計離不開嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膽B(tài)度和大量的文檔參考，也需要投入一定的時間。無論您從事工廠車間還是公路方面的設(shè)計，此白皮書中 TI 的集成電路 (IC) 設(shè)計方法都會為您提供所需的資源，從而簡化功能安全設(shè)計。隨著工業(yè)和汽車領(lǐng)域自動化的出現(xiàn)，人們對功能安全的需求有增無減。
2020-11-03
汽車 工業(yè)領(lǐng)域 TI
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GaN基電源性能的簡易測試技術(shù)
今天，大多數(shù)電源路線圖都將GaN晶體管作為一個關(guān)鍵平臺集成到其中。與Si-mosfet、igbt和SiC-mosfet相比，GaN晶體管的優(yōu)點意味著工程師們正在將它們廣泛地設(shè)計到他們的系統(tǒng)中。然而，GaN晶體管在開關(guān)電源中的這些進(jìn)步也使得表征這些電源的性能變得越來越具有挑戰(zhàn)性。在半橋上測量高邊VGS是診斷晶體管...
2020-11-03
GaN晶體管 電源性能 測試技術(shù)
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碳化硅FET推動了電力電子技術(shù)的發(fā)展
碳化硅（SiC）JFET是一種晶體管類型，它提供單位面積上最低的導(dǎo)通電阻RDS（on），是一種性能穩(wěn)定的器件。與傳統(tǒng)的MOSFET器件相比，JFET不易發(fā)生故障，適合斷路器和限流應(yīng)用。例如，如果你用1毫安的電流偏置一個JFET的柵極，并監(jiān)控柵極電壓Vgs，見圖1，你可以監(jiān)控器件的溫度，因為Vgs隨溫度線性降低...
2020-11-03
碳化硅 FET 電力電子技術(shù)
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電機(jī)逆變器中功率半導(dǎo)體的作用
電動汽車已經(jīng)塑造了世界，并將繼續(xù)在各個層面發(fā)揮作用。它們的使用范圍從簡單的家庭功能自動化的小型電機(jī)到可以移動山脈的重型電機(jī)。現(xiàn)在使用的電動機(jī)的數(shù)量和種類是驚人的，因此，了解到電動機(jī)及其控制系統(tǒng)幾乎占全世界用電量的一半，也許并不奇怪。
2020-11-03
電機(jī)逆變器 功率半導(dǎo)體
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PK傳統(tǒng)開關(guān)，MEMS開關(guān)的N大優(yōu)勢
近日，有媒體報道稱，進(jìn)入21世紀(jì)后，MEMS開關(guān)技術(shù)在經(jīng)過長時間且動蕩的技術(shù)開發(fā)之后，終于有望走向手機(jī)應(yīng)用。值得一提的是，這項“有望走入手機(jī)”的產(chǎn)品的真正商用化是ADI公司在四年前開創(chuàng)的，目前已經(jīng)在自動測試設(shè)備、測試儀器儀表和高性能RF開關(guān)等領(lǐng)域獲得應(yīng)用。
2020-11-03
傳統(tǒng)開關(guān) MEMS開關(guān) 優(yōu)勢
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