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七月上旬DRAM合約均價直逼金融風(fēng)暴時期
根據(jù)集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，七月上旬合約價再度呈現(xiàn)下跌的價格走勢，DDR3 2GB及4GB合約均價分別在16美元(1Gb $0.84)及31美元(2Gb $1.78)，跌幅各為7.25%與7.46%，此價格已經(jīng)逼近金融風(fēng)暴時期的最低價格水位，從市場面來觀察，由于三月日本地震過后，PC-OEM廠曾提升手上庫存水位，以防出貨發(fā)生斷煉危機，亦讓五月合約價格起漲最高至19美元，但由于全球市場對于下半年P(guān)C出貨數(shù)字趨向保守，PC-OEM廠亦紛紛調(diào)降出貨目標(biāo)，甚至六月部份合約客戶取消原本要進(jìn)貨的數(shù)量，調(diào)降目前高達(dá)4-6周左右的庫存水位，故七月上旬合約價方面，在PC-OEM客戶采購意愿不高與DRAM廠有出貨壓力下，合約價格已轉(zhuǎn)為買方主導(dǎo)，上旬合約價一路下探至15.5美元價位，七月下旬合價格不排除將繼續(xù)探底。
2011-07-18
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Linear推出同步降壓型穩(wěn)壓器LTC3634應(yīng)用于DDR存儲器供電
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、雙通道單片同步降壓型穩(wěn)壓器LTC3634，該器件為DDR1、DDR2和DDR3 SDRAM控制器提供電源和總線終端軌。
2011-07-05
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2011下半年NB市場將遭遇平板電腦正面沖突
根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機構(gòu) DRAMeXchange 調(diào)查，受到終端需求不振以及日本地震后對筆記本電腦(NB)供應(yīng)鏈產(chǎn)生的影響，第二季代工廠出貨不確定因素增加，盡管需求可能遞延至下半年，但下半年將與平板電腦的放量效應(yīng)正面沖突，預(yù)算排擠效應(yīng)將對NB成長有所壓抑。
2011-04-13
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日本地震影響電子元件供應(yīng)與價格
日本地震與海嘯可能導(dǎo)致某些電子元件嚴(yán)重短缺，進(jìn)而推動這些元件的價格大幅上漲。雖然目前幾乎沒有關(guān)于電子工廠實際損失的報道，但運輸與電力設(shè)施受到破壞將導(dǎo)致供應(yīng)中斷，造成元件供應(yīng)短缺和價格上漲。受到影響的元件將包括NAND閃存、DRAM、微控制器、標(biāo)準(zhǔn)邏輯、液晶顯示器(LCD)面板、LCD元件和材料。
2011-03-18
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F-RAM會帶來RFID標(biāo)簽的革命嗎？
目前市場上的存儲器種類非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲器等。世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron的MaxArias?系列無線存儲器將非易失性F-RAM存儲器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無線存取功能相結(jié)合，使創(chuàng)新型的數(shù)據(jù)采集能力應(yīng)用更廣泛的領(lǐng)域。
2011-03-01
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iSuppli預(yù)計今年平板電腦出貨量將達(dá)5760萬臺
市場研究公司iSuppli預(yù)計，平板電腦DRAM內(nèi)存的出貨量今年將從去年的3780萬GB增長至3.53億GB。這一數(shù)字將在2012年達(dá)到 10億GB，2014年達(dá)到35億GB。
2011-02-08
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2010年整體平板電腦的出貨量預(yù)估為1500萬臺
根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAM eX change的調(diào)查，由于iPad帶動平板電腦的風(fēng)潮，許多PC廠商與手機廠商在下半年加速在平板電腦的開發(fā)與上市計畫。為了與iPad競爭，其他廠商的平板電腦設(shè)計強調(diào)更強大的處理器效能、更大的儲存空間與開放性的軟硬體支援(例如提供 USB埠與支援Flash播放等功能)，企圖結(jié)合GoogleAndroid來走出另外一條路。
2010-12-31
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VLSI提高半導(dǎo)體預(yù)測 但CEO們?nèi)允侵?jǐn)慎的樂觀
VLSI提高IC預(yù)測，但是該公司看到雖然很多產(chǎn)品供不應(yīng)求，但是有一種可能DRAM市場再次下跌。
2010-08-05
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通孔刻蝕工藝的檢測技術(shù)研究
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)推進(jìn)到更加先進(jìn)的深亞微米技術(shù)，半導(dǎo)體金屬布線的層數(shù)越來越多，相應(yīng)的通孔刻蝕工藝也越多，并且伴隨著通孔的尺寸隨著器件設(shè)計尺寸逐步縮小。以DRAM制造為例，存儲量由4M發(fā)展到512M時，設(shè)計規(guī)則由1μm縮小到0.16μm，其中通孔的尺寸也從0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小，刻蝕的難度也越來越大，如果刻蝕不到位，就可能出現(xiàn)金屬布線間的開路，直接導(dǎo)致器件失效。那么蝕刻后的監(jiān)測就變的至關(guān)重要，本文簡介通孔刻蝕工藝的檢測技術(shù)研究，并對比了不同檢測設(shè)備的檢測結(jié)果
2010-06-22
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2010年半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將勁揚113.2%
Gartner副總裁Klaus Rinnen表示：技術(shù)升級，將帶動 2010年半導(dǎo)體資本設(shè)備市場的成長。對40奈米和45奈米設(shè)備的需求大幅增加，帶動晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對3x奈米的投資，NAND 記憶體制造商支出增加，以及升級至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體，皆為主要的投資成長動能。
2010-06-21
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DRAM產(chǎn)業(yè)回升，以勝利姿態(tài)揮別2009
據(jù)iSuppli公司，2009年DRAM市場搖擺不定，從一個極端到另一個極端，但第四季度克服了年初時的疲弱局面，高調(diào)結(jié)束全年，自2007年以來首次實現(xiàn)盈利。
2010-05-05
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移動存儲整合突顯移動平臺越來越重要
據(jù)iSuppli公司，最近DRAM供應(yīng)商爾必達(dá)和美光的收購行動，突顯供應(yīng)商越來越重視打造完整的內(nèi)存產(chǎn)品組合，以面向快速增長的智能手機市場。
2010-03-26
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