【導讀】為了滿足市場對射頻功率器件增強耐用性和在廣泛的頻率范圍進行寬帶運行的需求，飛思卡爾半導體公司推出了兩款功能豐富的器件，旨在為采用LDMOS處理技術制造的射頻功率產品提供新級別的線性和耐用性。
飛思卡爾半導體新產品包括25 W 的MRFE6VS25N和100 W 的MRFE6VP100H，在整個頻率覆蓋范圍內能提供完整的CW額定功率。設計這兩款產品的目的在于簡化放大器設計的復雜性、節約成本，同時提高系統的可靠性。
新推出的器件是用于類似應用的GaN解決方案的極好替代產品，能夠處理VSWR大于65:1的阻抗不匹配情況，從而以極低的器件成本實現卓越的線性。寬帶 LDMOS FET的設計目的是為了在極其惡劣的條件下也能無縫運行，這時產品的耐用性和可用性至關重要。目標應用包括HF-UHF發射器和收發器、電視發射器、空白區域數據收發器、航空航天/國防系統、測試設備和雷達系統。
圖題：完美結合耐用性、頻率范圍與寬帶能力射頻功率晶體管
飛思卡爾副總裁兼射頻事業部總經理Ritu Favre表示：“憑借這些新產品，飛思卡爾射頻功率產品的足跡正從無線基礎設施領域踏入鄰近的高增長市場。這些新產品的卓越性能和耐用性將對廣大客戶和廣泛應用極具吸引力。”
新產品采用飛思卡爾低熱阻封裝，目的是最大限度降低內部升溫，提高長期可靠性，同時減少熱管理問題。新產品還集成了能在眾多運行環境中增強電路穩定性的內部網絡，從而簡化了外部電路。為了保證最佳耐用性，飛思卡爾在遠超出正常運行條件下來測試，即在超出額定工作電壓20％，兩倍額定射頻輸入功率及阻抗不匹配值 VSWR=65:1的條件下進行評估。
應用的多樣化
MRFE6VS25N和MRFE6VP100H的寬帶頻率覆蓋范圍允許設計師使用單個放大器覆蓋多個頻段，例如1.8 - 54 MHz、30 - 512 MHz，從而減少了材料、縮小了放大器尺寸，減輕了重量，降低了切換損耗，并縮減了日常冷卻開支。新產品結合寬帶能力、耐用性和頻率范圍廣等優勢，且成本低于同等的GaN（氮化鎵）器件。
MRFE6VS25N和MRFE6VP100H規格包括：
MRFE6VS25N：25 W CW，頻段為1.8-30 MHz時增益超過26 dB，512 MHz時增益超過25 dB，效率為50％-73％，在VSWR> 65:1的環境中可完全達到額定性能。
MRFE6VP100H： 100 W CW，頻段為512 MHz時增益超過26 dB ， 30-512MHz時增益超過19 dB，效率為40％-71％，在VSWR> 65:1的環境中可完全達到額定性能。
MRFE6VS25N晶體管采用飛思卡爾 TO-270-2包覆成型塑料封裝， MRFE6VP100H/HS晶體管采用飛思卡爾 NI-780-4和NI-780S-4空氣腔封裝。
供貨情況
MRFE6VS25N和MRFE6VP100H現已開始生產。
