【導讀】隨著人工智能算力需求爆發性增長的浪潮下，支撐其運行的底層能源架構正經歷顛覆性升級。羅姆（ROHM） 以其先進的功率半導體技術，成為英偉達（NVIDIA） 全新800V高壓直流（HVDC）數據中心供電架構的核心方案提供者。這一合作聚焦于提升兆瓦級AI工廠的能量轉換效率與功率密度，為下一代超大規模計算設施奠定高性能電力基礎。
隨著人工智能算力需求爆發性增長的浪潮下，支撐其運行的底層能源架構正經歷顛覆性升級。羅姆（ROHM） 以其先進的功率半導體技術，成為英偉達（NVIDIA） 全新800V高壓直流（HVDC）數據中心供電架構的核心方案提供者。這一合作聚焦于提升兆瓦級AI工廠的能量轉換效率與功率密度，為下一代超大規模計算設施奠定高性能電力基礎。
羅姆不僅提供硅（Si）功率元器件，還擁有包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體在內的豐富產品陣容，可為數據中心的設計提供更優解決方案。
得益于極高的成本效益和可靠性，Si MOSFET已被廣泛應用于汽車和工業設備市場的電力轉換。Si MOSFET憑借其在價格、效率和可靠性之間的良好平衡也適用于當前AI基礎設施的升級。
羅姆的Si MOSFET代表產品“RY7P250BM”被全球云平臺企業認證為推薦器件。該產品作為一款為AI服務器必備的熱插拔電路專門設計的48V電源系統用100V功率MOSFET，以8080的小型封裝實現業界超寬的SOA（安全工作區），并實現僅1.86mΩ的超低導通電阻。在要求高密度和高可用性的云平臺中，有助于降低電力損耗并提升系統的可靠性。
SiC元器件的優勢在于可降低工業等領域中高電壓、大電流應用的損耗。英偉達800V HVDC架構旨在為功率超過1MW的服務器機架供電，這對于推進其大規模部署計劃也起著至關重要的作用。這一新型基礎設施的核心在于可將電網的13.8kV交流電直接轉換為800V的直流電。而傳統的54V機架電源系統除了受物理空間限制（要滿足小型化需求）外，還存在銅材使用量大、電力轉換損耗高等問題。
羅姆的SiC MOSFET在高電壓、大功率環境下可發揮出卓越性能，不僅能通過降低開關損耗和導通損耗來提高效率，還以超小體積實現了滿足高密度系統設計要求的高可靠性。這些特性恰好與英偉達800V HVDC架構所追求“減少銅材使用量”、“將能量損耗最小化”以及“簡化數據中心整體的電力轉換”等需求相契合。
另外，作為對SiC產品的補充，羅姆同時還積極推進GaN技術研發，現已推出EcoGaN?系列產品，包括150V和650V耐壓的GaN HEMT、柵極驅動器以及集成了這些器件的Power Stage IC。SiC在高電壓、大電流應用中表現出色，而GaN則在100V~650V電壓范圍內性能優異，具有出色的介電擊穿強度、低導通電阻以及超高速開關特性。此外，在羅姆自有的Nano Pulse Control?技術的加持下，其開關性能得到進一步提升，脈沖寬度可縮短至最低2ns。這些產品充分滿足AI數據中心追求小型化和高效率電源系統的需求。
除功率器件外，羅姆還推出搭載第4代SiC芯片的頂部散熱型HSDIP20等高輸出功率SiC模塊產品。這些1200V SiC模塊已面向LLC方式的AC-DC轉換器和一次DC-DC轉換器進行了優化，可實現高效率、高密度的電力轉換。憑借其卓越的散熱性與可擴展性，成為英偉達架構所預想的800V輸配電系統等兆瓦級以上AI工廠的上佳之選。
800V HVDC基礎設施的實現，需要全行業的協同合作。羅姆作為實現下一代AI工廠的重要合作伙伴，不僅與英偉達等業界領導者保持緊密協作，還將與數據中心運營商及電源制造商開展深度合作。通過提供羅姆尤為擅長的SiC和GaN等寬禁帶半導體的先進技術，為構建可持續且高能效的數字化社會貢獻力量。
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