【導讀】瑞森半導體科技有限公司經過多年研發，推出碳化硅MOS和SBD系列產品，目前已得到市場和客戶認可，廣泛應用于高端服務器電源、太陽能逆變、UPS電源、電機驅動、儲能、充電樁等領域。
碳化硅MOS 芯片具有優異的高頻特性，在高頻應用中，傳統的TO-247封裝會制約其高頻特性。瑞森半導體因應客戶需求及為進一步提升碳化硅MOS性能，特開發出四引腳TO-247封裝(TO-247-4L)碳化硅MOS產品。
1. TO-247 四引腳封裝和三引腳封裝差異
四引腳封裝TO-247與三引腳封裝TO-247相比較，外形上明顯多了一引腳，增加的引腳為驅動器源極引腳。腳位排列由TO-247 三引腳封裝的G-D-S變為D-S(P)-S(D)-G,其中第二引腳 S(P)接負載端，三引腳S(D)接驅動端。
對于傳統三引腳TO-247封裝。其反電動勢VLS（＝LS*dID/dt）由源極電源線的電感分量L和漏極電流斜率dI dID/dt產生，電壓VGS的是施加在芯片的柵極和源極漏極。這個反電動勢將實際施加的電壓從設定的柵極電壓降低，且開關速度特別是開通速度將會減慢。
通過增加用于柵極驅動的信號源端子，可以分離電源線中的電流和柵極驅動線中的電流，以減小柵源電壓電感的影響。四引腳的封裝的TO-247-4L將驅動側的源端直接連接在芯片的位置，與負載側的源線分離，這樣使其不易受到驅動電壓的影響。從而提高了碳化硅MOS的高速開關性能。
2. 四引腳封裝(TO-247-4L)優勢
四引腳封裝的TO-247-4L碳化硅MOS,可充分發揮出碳化硅MOS 本身的高速開關性能。與傳統三引腳封裝TO-247相比,開關損耗可降低約 30-35%,能進一步降低電路的損耗。
導通損耗：與沒有驅動器源極引腳的TO-247封裝產品（淺藍色虛線）相比，有驅動器源極引腳的TO-247-4L封裝產品（紅色虛線）導通時的ID上升速度更快。通過比較，可以看出TO-247封裝產品（淺藍色線）的開關損耗為 2700J，而TO-247-4L封裝產品（紅色線）為1700J，開關損耗減少約35%，減幅顯著。
關斷損耗：關斷時的波形可以看出，TO-247封裝產品（淺藍色實線）的開關損耗為2100J，TO-247-4L封裝產品（紅色實線）為1450J，開關損耗降低約30%。
3. 瑞森半導體碳化硅MOS系列產品
瑞森半導體經過多年研發，目前已擁有完整系列碳化硅MOS產品，各型號產品同時具備TO-247-3L及TO-247-4L 兩種封裝，給客戶提供更多選擇。
瑞森半導體一直致力于領先于行業的產品開發。 未來會繼續推進創新型元器件的開發, 同時提供包括碳化硅產品在內的解決方案,為進一步降低各種設備的功耗貢獻力量。
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