【導讀】場效應(yīng)晶體管的輸出曲線如何理解？場效應(yīng)管輸出特性曲線分為三個區(qū)：可變電阻區(qū)、恒流區(qū)和擊穿區(qū)。VDS較小時，場效應(yīng)管工作在可變電阻區(qū)，ID近似隨VGS作線性變化。VDS較大時，工作在恒流區(qū)，ID保持穩(wěn)定，不隨VGS的變化而改變。當VDS大于某一臨界值時，進入擊穿區(qū)，ID開始迅速增大，場效應(yīng)管不能正常工作。下面通過一些實例問答來幫助大家加深對場效應(yīng)晶體管的輸出曲線的認知。
場效應(yīng)晶體管的輸出曲線實例一：
問：如圖，Vgs=8V，Vds=20V的時候，Id都接近300A了。這個數(shù)據(jù)是怎么測試出來的？要知道我把12V的電壓短接在D，S之間，瞬間就爆管了。
答：你看到的部分曲線是指管芯封裝無限制，管芯溫度恒定為25°c時的理想電流曲線，IR的一般有測試的，國內(nèi)的mos一般沒有做測試，基本上是理論曲線。但是TO220或者其他封裝的mos受到封裝限制，實際Id大小分兩種，一是受到封裝的限制，二是受到管芯溫度的限制，你做這個實驗前可以參考IR官網(wǎng)的應(yīng)用筆記，或者按照pdf上的測試條件做。按你說的，一般是行不通的，假如12v測試電源電流足夠大，當mos完全導通時，其Id會很高，從而導致mos功耗過大損壞，因此你做的實驗沒有什么意義。
另外場效應(yīng)管G極是不能懸空的，否則極易由于感應(yīng)電壓，使管子導通，導通時的內(nèi)阻非常低，如果測試電壓內(nèi)阻也非常小，必爆管無疑。
場效應(yīng)晶體管的輸出曲線實例二：
模電如何根據(jù)他們的輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線來分場效應(yīng)管？
通過輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線來區(qū)分場效應(yīng)管前，首先需要了解一個概念，場效應(yīng)管是壓控型器件，它區(qū)別于雙極型晶體管（流控型器件），場效應(yīng)管工作時柵極一般只需要一個電壓就可以，電流很小或者為零。所以，要實現(xiàn)這點，結(jié)型場效應(yīng)管和MOS型采用不同的辦法實現(xiàn)了這個效果，導致了其特性曲線不同。
結(jié)型場效應(yīng)管，利用柵極和溝道間的一個反向二極管，并在二極管上施加反向電壓，利用二極管反向工作時，電流很小的特點，實現(xiàn)壓控效果，所以結(jié)型場效應(yīng)管工作時，柵極控制電壓UG總是需要保證那個二極管反向工作，即N溝道，柵極電壓為負，P溝道柵極電壓為正。至于漏極電流的極性，可以通過N溝道，N代表負，外部電流流入D極，電流方向即為正，P溝道電流流出D極，電流方向即為負。所以，下圖的曲線就很好記憶了。
而MOS管，直接將柵極與溝道間絕緣阻斷，沒有任何電流通過。所以按正常的正電壓控制N溝道，負電壓控制P溝道的原則。工作時，N溝道柵極電壓為正，P溝道柵極電壓為負。電流方向和結(jié)型管的判斷方法一樣，N溝道，N代表負，外部電流流入D極，電流方向即為正，P溝道電流流出D極，電流方向即為負。就可以確定MOS管的特性曲線。至于增強型和耗盡型如何區(qū)分，只要看控制曲線與y軸有交叉即可，即，當UG=0時，漏極電流不為零，即為耗盡型，UG=0時，漏極電流為零，即為增強型。如下圖所示。
場效應(yīng)晶體管的輸出曲線實例三：
根據(jù)場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線，怎么判斷它是什么類型的溝道？
首先判斷N型還是P型，這個簡單，只要觀察曲線是在坐標上方還是下方，上方就是N型溝道（規(guī)定）；至于是增強型還是耗盡型，也簡單，增強型只在1/4區(qū)間坐標內(nèi)，而耗盡型一般處于半個坐標內(nèi)；另外，關(guān)于結(jié)型還是絕緣柵型則是看曲線幅度，無限接近于坐標軸的是結(jié)型，絕緣柵型曲線是有起始點的在坐標軸上，且曲線幅度比較陡。
場效應(yīng)管根據(jù)導電溝道的有無分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS）兩種主要類型。
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