產(chǎn)品特性：
- 將電力損耗最低降低3%
- 提高了開關(guān)速度
- 提高低導(dǎo)通阻抗的性能
應(yīng)用范圍：
- 低功耗節(jié)能電腦
NEC電子日前推出2款適用于電腦中DC/DC轉(zhuǎn)換器用的功率MOSFET產(chǎn)品，并以“μPA2745”、“μPA2749”的品名于即日起提供樣品。作為該系列的擴充產(chǎn)品，該2款產(chǎn)品成功將電力損耗最低降低3%。
交流電源先由AC適配器降壓并輸出為15V或20V直流電壓之后，由DC/DC轉(zhuǎn)換器用的功率MOSFET器件新產(chǎn)品將其降壓為CPU驅(qū)動用的1.5V直流電壓。通過采用新工藝，改善單元間距結(jié)構(gòu)，提高開關(guān)速度，使得電源工作時的電力損耗與NEC電子以往產(chǎn)品相比最大降低了3%。因此，可以幫助用戶減少用來解決散熱問題的成本，并可開發(fā)出低功耗節(jié)能電腦。新產(chǎn)品分別重點提高了開關(guān)速度以及專注提高低導(dǎo)通阻抗的性能，用戶可根據(jù)自身系統(tǒng)的需求選擇最適合的產(chǎn)品。
新產(chǎn)品的樣品價格為“?PA2745”100日元/個，“?PA2749”60日元/個。預(yù)計從2009年3月開始，兩款產(chǎn)品的量產(chǎn)規(guī)模合計100萬個/月。
對于功率MOSFET來說，導(dǎo)通狀態(tài)下，阻抗越小電流越大，因此導(dǎo)通下阻抗值越低性能越高。為改善低導(dǎo)通阻抗性能，NEC電子從1998年前后加強生產(chǎn)工藝的微細化進程，推進多線鍵合與無線鍵合等可有效降低電阻值的封裝技術(shù)的開發(fā)，向汽車電裝系統(tǒng)、移動終端設(shè)備以及個人電腦等主要市場推出產(chǎn)品。2007年，NEC電子的功率MOSFET在150V以下低耐壓領(lǐng)域的市場份額位居世界第三，受到市場廣泛好評。
在多功能化、高性能化發(fā)展日趨顯著的功率MOSFET的主要市場領(lǐng)域，特別是個人電腦市場中，CPU性能提高的同時，散熱問題成為重要課題，因此用戶對于早日推出低電力損耗的功率MOSFET的呼聲越來越高。
NEC電子該新產(chǎn)品正是面向此市場需求而開發(fā)的。與NEC電子以往產(chǎn)品一樣，該產(chǎn)品有良好的低導(dǎo)通阻抗性能，通過提高DC/DC轉(zhuǎn)換等開關(guān)動作的速度，降低了電力損耗。
該新產(chǎn)品有助于電腦等DC/DC轉(zhuǎn)換器向節(jié)能化、低成本化發(fā)展，是電腦用功率MOSFET的核心部分。NEC電子今后將進一步展開該系列產(chǎn)品的營銷活動，并采用此次開發(fā)的工藝擴充功率MOSFET產(chǎn)品。
主要規(guī)格：
|
品名 |
VDSS (V) |
ID(DC) (A) |
RDS(on) typ/max (mohm) |
Ciss (pF) |
Crss (pF) |
Qg (nC) VGS=5V |
Qgd (nC) |
||
|
@10V |
@4.5V |
||||||||
|
μPA2745UT1A |
30 |
± 50 |
2.0/3.0 |
3.0/3.7 |
4070 |
260 |
28 |
8 |
|
|
μPA2749UT1A |
30 |
± 25 |
7.8/10 |
11/16 |
900 |
68 |
7 |
2.4 |
|
