- 太陽能產(chǎn)業(yè)具有非常高的循環(huán)性變化
- 許多需求是在補貼政策改變或取消之前提前發(fā)酵
- 重點放在降低成本以維持一定獲利率
- 同時持續(xù)推動電價往Grid Parity的方向進行
- 2009年上半年，太陽能發(fā)電系統(tǒng)的平均價格降幅達25％以上
- 2010年全球太陽能需求成長40%以上
- 太陽能電池和模塊制造商應(yīng)該可以看到20％的產(chǎn)業(yè)平均利潤率
2009年證明了太陽能產(chǎn)業(yè)具有非常高的循環(huán)性變化，DisplaySearch觀察14個主要的太陽能電池Cell和模塊制造商的利潤率表現(xiàn)，2006年第一季度到2008年第四季的平均獲利可達15％，但2009年第一季則急劇下降到-10％，一直到2009年第二季尚呈現(xiàn)虧損。主要造成產(chǎn)業(yè)虧損的原因為西班牙再生能源回購費率(Feed-In-Tariff)的改變，全球經(jīng)濟危機以及信貸緊縮造成需求緊縮等等。圖1為全球主要太陽能模塊廠商的合計營收，利潤和利潤率。
圖1.全球主要太陽能模塊廠商的合計營收，利潤和利潤率
Source: DisplaySearch Quarterly PV Cell Capacity Database & Trends Report
在2009年上半年，生產(chǎn)能力過剩和整個供應(yīng)鏈的供過于求，造成太陽能發(fā)電系統(tǒng)的平均價格降幅達25％以上。然而低價格的刺激，較為容易的融資環(huán)境，以及需求的多樣化，加上各個國家及區(qū)域新的獎勵政策推出，讓主要的廠商在2009年第三季順利轉(zhuǎn)虧為盈。
獎勵政策主要在于通過提高安裝太陽能系統(tǒng)的經(jīng)濟價值的方法而增加需求。但另一方面，在許多消費者擔心獎勵政策會改變的情形之下，也有許多需求是在補貼政策改變或取消之前提前發(fā)酵。DisplaySearch太陽能研究小組指出，德國新政府將進一步降低再生能源回購費率(FIT), 將是一個需求再持續(xù)增長的重要指標。整體而言，在德國，意大利，日本，美國，法國，中國及其它地區(qū)的獎勵措施的變化或更新，將會讓2010年全球太陽能需求成長40%以上。DisplaySearch也預(yù)測2010年太陽能電池和模塊制造商應(yīng)該可以看到20％的產(chǎn)業(yè)平均利潤率。
太陽能電池制造商把重點放在降低成本以維持一定獲利率的同時，也將持續(xù)推動電價往Grid Parity (太陽發(fā)電成本與傳統(tǒng)發(fā)電成本相當)的方向進行。主要降低成本的方法包括使用較少的硅，或使用較便宜的硅。多晶硅(Polysilicon)是主要用于制造結(jié)晶硅（c-Si）太陽能電池的晶圓材料。而其占到整體太陽能模塊成本的15%到20％。由于大量多晶硅新產(chǎn)能的開出以及過去這一年的需求減少，硅晶的價格自2008年下半年起因供過于求而大幅下跌，目前雖然跌勢已經(jīng)趨緩，但預(yù)計2010年仍為供過于求的狀況，因此價格將持續(xù)下降。圖2為多晶硅價格趨勢。
圖2. 多晶硅價格趨勢(Spot = 現(xiàn)貨價, Contract = 合約價, Blended = 混合價)
Source: DisplaySearch Quarterly PV Cell Capacity Database & Trends Report
除了提升傳統(tǒng)的多晶硅生產(chǎn)效率之外，新的精煉技術(shù)如FBR (Fluid Bed Reactor, 流體床反應(yīng)器) 以及UMG (Upgraded Metallurgical Grade)等級的多晶硅將可以進一步提供低成本的多重選擇。不過，由于多晶硅的價格下滑極快，目前業(yè)界對于這些新技術(shù)的興趣有些微減退，但DisplaySearch太陽能研究小組判斷這些新的多晶硅生產(chǎn)技術(shù)依舊在未來可以發(fā)揮成本減低的作用。
此外，采用更薄的晶圓可以消耗較少的多晶硅而降低太陽能模塊的總成本。目前太陽能電池制造商已經(jīng)從2000年的300微米晶圓前進到目前的150微米晶圓，而讓多晶硅使用量降低了50％。另一方面，在進行將晶圓(wafer)由硅錠(ingot)切割而出的制程時，由于切割線(wire)并沒有比硅晶圓本身薄多少，因此常造成許多硅材料在切割缺口處被浪費了。目前開發(fā)出的新制程為采用更薄的切割線，或者采用新的切割黏液(Slurry), 甚至采用鍍上金剛石(Diamond)的切割線，用以減少硅的浪費，并讓晶圓切割的更薄。100微米，常常被認為是傳統(tǒng)晶圓切片技術(shù)的極限，但由Silicon Genesis 所開發(fā)的新的Polymax技術(shù)可以切割到只有20微米的單晶硅薄片。
在薄膜太陽能電池技術(shù)的部份，目前技術(shù)相當多，包含了非晶硅（a-Si）技術(shù)，碲化鎘（CdTe）和銅銦鎵硒（CIGS）等等，不過其開發(fā)的主要的目的都是通過消除使用晶體硅的吸收層以降低成本，薄膜技術(shù)的缺點是能源轉(zhuǎn)換效率較低。 由于設(shè)備廠商大量的提供一體到位(TurnKey)的設(shè)備，非晶硅(a-Si)廠商大幅擴產(chǎn)的結(jié)果已經(jīng)將全球的產(chǎn)能由 2007年的296 MW (百萬瓦)提高2009年的1.6 GW (十億瓦) , 甚至預(yù)計2010年將達到3.0 GW (十億瓦)。然而，由于多晶硅價格較先前預(yù)期的大幅降低，影響到非晶硅(a-Si)的需求，因此目前大部分非晶硅產(chǎn)能處在產(chǎn)能利用率較低的窘境。
當銅銦鎵硒(CIGS)太陽能電池技術(shù)被推出時，其目標是希望兼顧相對較高的轉(zhuǎn)換效率，以及非常低的成本結(jié)構(gòu)；甚至其轉(zhuǎn)換效率的開發(fā)目標是達到結(jié)晶系(Crystalline)的水平。然而，這項技術(shù)已被證明要量產(chǎn)有一定的難度。以全球產(chǎn)能來看，銅銦鎵硒(CIGS) 在2009年只占全球太陽能電池產(chǎn)能的3％，而實際量產(chǎn)的能力更是十分有限。然而，仍有廠商看好CIGS的低成本而加碼投資，DisplaySearch觀察，2010年將會新增415 MW (百萬瓦)的銅銦鎵硒(CIGS)產(chǎn)能，而Solyndra公司以及Showa Shell Solar公司已經(jīng)計劃在不久的將來建置500 MW (百萬瓦)甚至1.0 GW (十億瓦)的工廠。
碲化鎘(CdTe)技術(shù)，目前以First Solar為領(lǐng)導(dǎo)廠商，是目前在低成本方面領(lǐng)先的太陽能技術(shù)。在2009年第三季該公司生產(chǎn)的模塊成本僅為$ 0.85/watt。而目前First Solar 也為了因應(yīng)訂單的急速增加，而預(yù)計將在2010年增加424 MW (百萬瓦)的能力，而由于該公司預(yù)測2010年每股收益(EPS)將可望在US$6.05~US$6.85之間。First Solar幾乎已經(jīng)成為碲化鎘(CdTe)技術(shù)太陽能的傳奇，其技術(shù)與經(jīng)營模式也的確為其它模塊制造商樹立榜樣，但至今沒有其它從事CdTe(碲化鎘)技術(shù)的公司能夠復(fù)制其模式成功。
在太陽能產(chǎn)業(yè)，更高的轉(zhuǎn)換效率等同于降低成本，無論是薄膜或結(jié)晶硅技術(shù)，在2010年產(chǎn)業(yè)將再次強調(diào)提高轉(zhuǎn)換效率的重要。 Centrotherm為一家領(lǐng)先的德國太陽能設(shè)備公司，其曾經(jīng)指出，轉(zhuǎn)換效率每提高0.5％，則成本可以減少約3％。
2009年是太陽能產(chǎn)業(yè)第一個經(jīng)歷的”Solar Cycle”(太陽能供需循環(huán))，以后勢必會有更多循環(huán)發(fā)生，目前隨著需求的回升，大部分太陽能產(chǎn)業(yè)的供應(yīng)鏈已經(jīng)迅速恢復(fù)。隨著需求增加和成本越來越低，太陽能產(chǎn)業(yè)正期待著美好的2010年。DisplaySearch太陽能研究小組認為至少在2010年上半年太陽能產(chǎn)業(yè)可以逐步邁向平均獲利率20％。至于在2010年之后，激勵與補貼政策將決定下一個周期循環(huán)。
以上主要摘要說明DisplaySearch 對于2010年太陽能產(chǎn)業(yè)的看法，數(shù)據(jù)主要摘錄自DisplaySearch Quarterly PV Cell Capacity Database & Trends Report。如有需進一步的市場資料，歡迎與我們聯(lián)系。隨著2010年起全球太陽能產(chǎn)業(yè)邁向新的境界，DisplaySearch 將會正式邁入太陽能產(chǎn)業(yè)的研究并將有更多的市場研究成果與業(yè)界分享，敬請拭目以待。
