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天津LED論壇即將開(kāi)幕 20多家重量級(jí)媒體競(jìng)相赴會(huì)
天津LED論壇即將開(kāi)幕 20多家重量級(jí)媒體競(jìng)相赴會(huì)
2010-03-15
天津LED論壇即將開(kāi)幕 20多家重量級(jí)媒體競(jìng)相赴會(huì)
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“2010深圳光電顯示周暨深圳（國(guó)際）彩電節(jié)”將于5月閃亮登場(chǎng)
“2010深圳光電顯示周暨深圳（國(guó)際）彩電節(jié)”將于5月閃亮登場(chǎng)
2010-03-15
“2010深圳光電顯示周暨深圳（國(guó)際）彩電節(jié)”將于5月閃亮登場(chǎng)
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ABB為中國(guó)太陽(yáng)能發(fā)電提供技術(shù)支持
近日，全球領(lǐng)先的電力和自動(dòng)化技術(shù)集團(tuán)ABB積極參與中國(guó)太陽(yáng)能開(kāi)發(fā)利用，為提升國(guó)家可再生能源占電力消費(fèi)比例、改善能源結(jié)構(gòu)做出積極貢獻(xiàn)。
2010-03-15
ABB 太陽(yáng)能 發(fā)電 新能源 可再生能源
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怎樣辨別視頻線的好壞
本文主要介紹視頻線的目測(cè)外觀鑒別，傳輸性能測(cè)試
2010-03-15
視頻線 電纜 SYV電纜
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更小巧、更輕便、更低溫——IR GaN功率器件帶動(dòng)功率技術(shù)革命
GaN技術(shù)平臺(tái)開(kāi)創(chuàng)行業(yè)先河，是IR研發(fā)部門(mén)基于IR專利的GaN-on-Si硅上氮化鎵異質(zhì)外延技術(shù)，經(jīng)過(guò)5年精心研究的成果。高生產(chǎn)量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關(guān)的器件制造工藝，完全符合IR具備成本效益的硅制造設(shè)施，可為客戶提供世界級(jí)的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺(tái)。
2010-03-15
輕便 低溫 IR GaN 功率器件 革命
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IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET
這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅技術(shù)，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗。
2010-03-15
IR MOSFET HEXFET 硅技術(shù) 導(dǎo)通電阻
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BRAVIA LX900：索尼3D液晶電視 攝像頭節(jié)能和防止兒童過(guò)近觀看
索尼發(fā)布了支持三維（3D）影像顯示的液晶電視“BRAVIA”的3個(gè)系列8種機(jī)型。預(yù)定提供從40英寸到60英寸畫(huà)面尺寸的“LX900”系列，在機(jī)身中央下方配備了名為“智能人感傳感器”的攝像頭。采用攝像頭的面部檢測(cè)功能和收看位置推斷功能等，實(shí)現(xiàn)了節(jié)能以及防止兒童過(guò)近觀看的功能。
2010-03-15
索尼 液晶電視 攝像頭 節(jié)能
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日置模擬兆歐表IR4000系列和3490的使用小竅門(mén)
。對(duì)于使用方面，現(xiàn)在我們向大家介紹一些小竅門(mén)，讓您的實(shí)際測(cè)量變得更加方便和簡(jiǎn)單。
2010-03-12
日置 模擬兆歐表 IR4000
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Microsemi在APEC 2010展示它的全部功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品
Microsemi在APEC 2010展示它的全部功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品
2010-03-12
Microsemi在APEC 2010展示它的全部功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品
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