【導(dǎo)讀】隨著科技的發(fā)展，各種各樣的電源接踵而至。不間斷電源在信息和數(shù)據(jù)保護(hù)設(shè)備中廣泛應(yīng)用。不間斷電源的發(fā)展與IGBT，Power MOSFET等電力電子器件密不可分。帶輸出變壓器的雙變換電路在拓?fù)潆娐分惺菓?yīng)用最廣泛的。
但即便是經(jīng)典，也在近幾年的科技沖擊下逐漸顯示出劣勢(shì)，相較于大熱的高頻鏈雙變換UPS，傳統(tǒng)的雙變換電路結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)已經(jīng)逐漸暴露出來(lái)，但是依賴(lài)其成熟的技術(shù)，幾乎工業(yè)化的標(biāo)準(zhǔn)模塊式結(jié)構(gòu)和很高的可靠性，使它在市場(chǎng)擁有的份額并沒(méi)有減小，而且產(chǎn)量越來(lái)越大，迫使各大UPS廠商尋找新的技術(shù)，以提高效率，降低成本。尤其效率的提高，能有效地減小散熱器尺寸，減少后備電池容量，減小充電器功率，明顯減小整機(jī)體積重量。如果10KVA UPS的8小時(shí)機(jī)型，提高2%的整機(jī)效率，可以減少使用相當(dāng)12V 6.5AH電池20多節(jié)。
雙變換UPS 的應(yīng)用
圖1：典型的雙變換UPS
由于使用IGBT，逆變器一定會(huì)采用SPWM技術(shù)，且盡量提高調(diào)制頻率來(lái)減小輸出諧波分量，但是由于考慮IGBT的開(kāi)關(guān)損耗，合理的調(diào)制頻率在8~10kHz。如果直接采用全橋式單極性調(diào)制方式，逆變變壓器有8~10kHz的諧波分量，會(huì)有明顯的可聞運(yùn)行噪聲，如果進(jìn)一步提高調(diào)制頻率到20kHz可消除可聞運(yùn)行噪聲，在目前技術(shù)條件下，無(wú)論選用何種芯片技術(shù)的IGBT，都會(huì)明顯增加開(kāi)關(guān)損耗，整機(jī)效率降低，這是不可取的。
現(xiàn)有的倍頻式PWM調(diào)制技術(shù)就能很好的解決這一問(wèn)題，只要采用兩個(gè)反向的三角波，分別調(diào)制Q1和Q4，Q2和Q3，就能使輸出的調(diào)制頻率翻倍。這樣一來(lái)就能保證IGBT 工作在最理想的狀態(tài)，同時(shí)滿(mǎn)足整機(jī)設(shè)計(jì)要求。
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實(shí)例解析
圖2：半橋臂工作情況
在常見(jiàn)的采用半橋IGBT模塊并用并行直流母線連接的UPS設(shè)計(jì)，為了保護(hù)IGBT，使其工作在安全工作區(qū)RBSOA內(nèi)，一般需要采用復(fù)雜的吸峰電路。成本高，且要消耗不少能量，有一典型的用于10kVA UPS逆變回路吸峰電路，需要80×80風(fēng)扇冷卻，這是UPS逆變電路亟待改進(jìn)的地方。
產(chǎn)生ΔV原因可以從下式可以看出：ΔV=-Lσ×di/dt，其與IGBT電流下降速率和回路的電感成正比。要減小尖峰電壓，可以減小電流下降速率，就是通常說(shuō)的關(guān)斷比較軟，但是會(huì)增加損耗;另一方法是減小電感，這個(gè)電感就是寄生電感。
從原理上說(shuō)寄生電感與回路包圍的面積有關(guān)，在設(shè)計(jì)中，應(yīng)該選用適當(dāng)?shù)牡碗姼衅骷移骷季直M量緊湊。那么如何在UPS設(shè)計(jì)中減小寄生電感，廢除耗能的吸峰電路，降低成本，這是UPS設(shè)計(jì)者關(guān)心的問(wèn)題。
目前UPS逆變器的功率管采用的是IGBT半橋功率模塊，如EUPEC的BSM200GB60DLC。這些IGBT都采用了雙極型三極管模塊的封裝。其體積大，成本高，自身的寄生電感也大。
在IGBT發(fā)明時(shí)，在第一代IGBT開(kāi)關(guān)速度不太快的前提下，廠商采用雙極型三極管模塊的封裝國(guó)際工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，可以使得用戶(hù)在不改變整機(jī)結(jié)構(gòu)的情況下，方便取代雙極型三極管模塊，其不失為一個(gè)很好的選擇。
結(jié)果是UPS廠商的逆變功率模塊也始終按雙極型三極管的半橋模塊設(shè)計(jì)，這樣一來(lái)引進(jìn)比模塊本身更大的寄生電感。寄生電感會(huì)在IGBT關(guān)斷的過(guò)程中形成很大的尖峰電壓。尤其當(dāng)今IGBT的開(kāi)關(guān)速度已很高了。
那么如何來(lái)減小寄生電感是一個(gè)IGBT應(yīng)用關(guān)鍵技術(shù)，最有效的方法是把并行母線改為疊層母線，減小回路包圍的面積。對(duì)于并行母線，其母線寬度與母線距離之比a/b>1，其寄生電感Lσ>300nH，而疊層母線很容易做到a/b<0.01,這樣寄生電感Lσ僅為20~30nH，考慮其它因素，寄生電感Lσ實(shí)際可以控制在100nH以下。
封裝的改進(jìn)
為了使這一技術(shù)實(shí)用化，EUPEC公司在1994年制定了一種IGBT國(guó)際工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化的封裝，即Econo，它是第一個(gè)IGBT的封裝。Econo有兩種封裝尺寸，即Econo2和Econo3，見(jiàn)(圖3)。現(xiàn)有的主要產(chǎn)品是用于逆變器三相全橋模塊。最近EUPEC推出單相全橋模塊 Econo FourPACK ,其600V系列是專(zhuān)為UPS設(shè)計(jì)的，包括以下幾種常用型號(hào)，見(jiàn)表1：
結(jié)語(yǔ)
本文剖析了雙變換UPS不間斷電源中的全橋IGBT，這種設(shè)計(jì)方案能夠大大提高整體性能，降低了成本。希望讀者閱讀完本文后，能夠?qū)θ珮騃GBT有系統(tǒng)的理解。
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