- 晶圓自動檢測方法
- 缺陷檢測管理的趨勢
- 在線監測方法的技術優勢
新環境中的老方法
半導體制造中廣泛采用晶圓自動檢測系統已逾30年。在線晶圓檢測有助于推進制造技術的發展，它能早期檢測到工藝中的缺陷，從而減少開發時間并防止產出超時。過去，檢測缺陷的能力是主要關注點之一，但現在的要求改變了。近幾年來，每一晶圓的缺陷計數迅速增長至每一晶圓多達100萬個缺陷，這是因為晶圓尺寸變大，同時檢測技術靈敏度更高了（圖1）。雖然總檢測計數增加及關鍵缺陷尺寸變得更小，這一時期缺陷檢查的典型策略并未改變，尤其是在隨機取樣占主導的缺陷檢查區域。這種情況能產生常與干擾缺陷在一起的缺陷pareto圖（圖2）。
缺陷檢測管理的趨勢
傳統的在線監控策略主要關注像隨機微粒這樣的隨機缺陷。盡管檢測隨機微粒很重要，但更先進的技術節點出現了很難檢測的系統缺陷（圖3）。即使檢測后，從大量缺陷計數中識別這些缺陷也頗具挑戰性，每晶圓50個缺陷的取樣率僅是105個缺陷數據的0.05%。隨著系統缺陷的增加，人們更多關注識別工藝開發早期的作圖問題以減少產品推出周期。
[page]一些方法，包括焦點曝光矩陣（FEM）或PWQ（工藝窗口限定）等，正被用于識別系統性作圖問題。同樣，器件開發過程中發現的邊際圖形也要求受監控，以檢測可能引起工藝變化和交互作用的失效。為達到這一目標，采用部分設計夾作為庫來有效地監控關鍵圖形類型。這一方法中，每個邊際圖形的設計夾可以注冊在庫中，任何這種圖形失效的發生可有效地被捕捉和分類。
方法：思路的重大改變
為了提高監測和識別關鍵缺陷的效率，必須采用新方法。依賴簡單的缺陷過濾和基于大小的缺陷次序是不夠的。為了取得最佳的檢測和鑒評預算，必須對檢測設置與鑒評策略二者使用新的知識信息。從設計和模擬得到的關鍵區域和熱點這樣一些知識信息可以插入檢測方略中，優化可用的檢測容量。在完成檢測過程中和完成后，基于多重檢測結果的缺陷過濾和分類使用戶能快速識別新缺陷，有效地量化已知的缺陷類型。利用設計空間中缺陷鄰近位置的信息（此處，設計的復雜組成是了解的），可以較好地評估每一缺陷的良率相關性，提供缺陷的排序（圖4）。
用與設計相關的檢測設置，現在可以產生更智能化的檢測菜單，注意力集中在最重要的芯片區域。這一技術已成功地在開發和生產工廠中進行了試驗。引入新方法后，缺陷識別更有效，因而能通過分析實驗結果減少工藝開發時間（圖5）。由于能方便地監控關鍵結構，就可以評估每一組實驗，以便選擇刻印圖形結果最好的工藝條件。
采用在線檢測新方法，現在已能以系統性方法識別缺陷問題。在要求技術優勢和運作效率二者均有競爭力的環境下，必須實施新方法使可用于缺陷管理的資源最大化。缺陷檢測不再需要處于單獨在工廠中的封閉模式（silomode），設計人員、光刻和缺陷工程師也必須利用新提供的技術來有效地識別隨機缺陷和圖形缺陷。進而，在線檢測現在已與設計相關聯，能優化檢測預算，從而檢測最至關重要的區域。當半導體制造在競爭中繼續向前推進時，綜合考慮缺陷和設計將是缺陷管理的大趨勢。
