- 功率元件用SiC底板品質(zhì)不斷提高，價(jià)格也在不斷下降
- SiC底板紛紛亮相研究會(huì)
- 4英寸底板已不再特殊
功率元件用SiC底板不僅品質(zhì)不斷提高，價(jià)格也在不斷下降。雖然從事SiC功率元件的廠商增多帶來了需求擴(kuò)大，但降價(jià)的主要原因在于提供好品質(zhì)底板的廠商增多，“開始出現(xiàn)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)”（多家底板廠商）。據(jù)某家底板廠商介紹，雖然價(jià)格根據(jù)結(jié)晶缺陷密度等品質(zhì)而有所不同，但“直徑為3英寸（75mm）的產(chǎn)品在大量購(gòu)買時(shí)價(jià)格已經(jīng)只有7萬(wàn)日元左右。而去年還約為10萬(wàn)日元”。也就是說，價(jià)格在以每年30％左右的幅度下降。
還有多家廠商在銷售“外延底板”，這種底板上不僅層疊有SiC底板，還層疊有外延層。日本國(guó)內(nèi)的主要外延底板廠商是昭和電工。該公司已經(jīng)上市4英寸外延底板。該公司是從其他公司采購(gòu)SiC底板，層疊上外延層后銷售。
外延底板的價(jià)格方面，“外延層的厚度為10μm左右，價(jià)格是3英寸底板的大約2倍”（多家外延底板廠商）。
SiC底板紛紛亮相研究會(huì)
在此背景下，與2009年12月17～18日舉行的“第18屆SiC及寬帶隙半導(dǎo)體研究會(huì)”同時(shí)舉辦的展會(huì)上，有多家企業(yè)展出了SiC底板（4H型）和外延底板。
東麗道康寧自信地表示“品質(zhì)不亞于頂尖廠商（美國(guó)科瑞）”（解說員）（圖1、2）。該公司同時(shí)還在銷售美國(guó)道康寧的SiC底板（參閱本站報(bào)道）。3英寸的4H型SiC底板保證微管密度不超過3個(gè)/cm2。“實(shí)際上為大約0.2個(gè)/cm2”（該解說員）。2009年5月以后，通過大幅改善制造工藝底板品質(zhì)得到了提高。除去微管，錯(cuò)位等缺陷的密度在5000～7000個(gè)/cm2左右。底板表面上的結(jié)晶缺陷占整個(gè)底板的5～15％。
除3英寸底板外，東麗道康寧還提供3英寸的外延底板。4英寸底板定于2010年1月、4英寸的外延底板定于7～9月銷售。而有關(guān)6英寸底板的銷售目標(biāo)則是2011年供應(yīng)樣品。
4英寸底板已不再特殊
SiC底板的大口徑化也在穩(wěn)步推進(jìn)，目前已有多家廠商在提供4英寸底板。此次展會(huì)的參展企業(yè)有諸如代表美國(guó)II-VI參展的II-VI日本法人公司和德國(guó)SiCrystal等（圖3）。II-VI日本展出了微管密度標(biāo)準(zhǔn)為1.3個(gè)/cm2、優(yōu)質(zhì)品為0個(gè)的“無微管”4H型SiC底板。微管除外的錯(cuò)位等缺陷密度低于1萬(wàn)個(gè)/cm2。
雖然尚無銷售計(jì)劃，但直徑5英寸的底板已經(jīng)開發(fā)完成。今后將進(jìn)一步增大直徑，目標(biāo)是2012年左右銷售6英寸直徑的產(chǎn)品。另外，II-VI日本今后將進(jìn)一步擴(kuò)大業(yè)務(wù)。“力爭(zhēng)到2014～2015年左右，銷量達(dá)到現(xiàn)在的9倍”（II-VI日本的解說員）。另外，該公司表示沒有涉足外延底板的計(jì)劃。
德國(guó)SiCrystal的最大股東進(jìn)入2009年以后變成了羅姆。但SiCrystal底板的銷售跟以前一樣，仍不僅限于羅姆。會(huì)場(chǎng)上，該公司的日本銷售代理店（Ceramic Forum）展出了4英寸底板等（圖4、5）。3英寸和4英寸底板的高端產(chǎn)品中微管密度保證低于3個(gè)/cm2。
此外，作為銷售代理，日本New Metals & Chemicals還展出了北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體制造的SiC底板。
圖1：東麗道康寧展出的SiC底板 圖2：東麗道康寧的展板 圖3：美國(guó)II-VI的SiC底板
右為功率元件用4H型，左為高頻元件用6H型
圖4：SiCrystal的4英寸底板 圖5：Ceramic Forum的展板
