該精華帖入口：每周一問第四期：如何進行USB接口電磁兼容設(shè)計？
優(yōu)秀網(wǎng)友獲得者“阿飛小白”的解答如下：
1.從PCB設(shè)計來說D+、D- 的長度和參考層至關(guān)重要，在這兩點中 我優(yōu)先選擇完整的GND 為Reference Plane，其次再考慮將兩線長度盡量變短，如果過長，GND guard trace 的寬度和與D+ D- 的距離也是必須的。
2.端口的濾波設(shè)計也是根據(jù)產(chǎn)品和實際測試的情況來決定，一般情況下會靠近端口預(yù)留CMC位置，Power pin上 0.1 Cap，至于端口的割地如果選擇割地那么UGND與PGND的連接務(wù)必牢記，另外提醒在整改時很多人嘗試在D+ D-上增加 Cap，但容值最好不超過22pf。
3.對于USB 2.0 機構(gòu)設(shè)計的重要性不言而喻，機構(gòu)設(shè)計主要集中在接地設(shè)計上，也就是接口和單板的接觸以及接口和機構(gòu)件的接觸。
4.USB 2.0 在實際整改之中造成困擾的一大原因是因為線纜，線纜是EMC 問題中的重要原因，這里書中經(jīng)常會說明一定要360°環(huán)接，但是真正做到360°環(huán)接的很少，造成不同線纜有不同效果的情況，一般原因是USB 屏蔽層的編織網(wǎng)密度（小白曾對兩條USB Cable做過比對，120條金屬絲的屏蔽層和160條金屬絲屏蔽層的差異會在2-3dB，有時候甚至更明顯）還有很多優(yōu)質(zhì)的USB Cable中會額外增加一條GND。小白看了不少帶USB線纜的電子設(shè)備，有的是將USB Cable的屏蔽層擰成一股焊接在USB Connector上或是焊接在單板上，有的是只取出其中的部分金屬絲擰成一股焊接，還有甚者對屏蔽層根本不做處理，這些也經(jīng)常會被我們忽略，但是這些問題恰恰是造成USB 輻射招標(biāo) EMS 測試 fail的關(guān)鍵原因。
5.另外測試時AE的USB端口EMC設(shè)計是否良好，也對EUT的測試有不小影響。
6.USB端口的電路設(shè)計其實很多，也就是那三板斧，某些初學(xué)者，測試不過，以為學(xué)過標(biāo)準(zhǔn)電路設(shè)計，立馬就考慮PCB的設(shè)計問題，然后動板子，這其實是EMC大忌，殊不知，如果標(biāo)準(zhǔn)電路能解決問題，那么EMC工程師也就不需要成天蹲在暗示里了。所以說與其費時費力焊電容改板子，不如多試幾條USB線，改一改周邊，由外向內(nèi)研究，此為上策。
優(yōu)秀網(wǎng)友“LED2013"的解答如下：
PCB的連接比較復(fù)雜，各連接線都必須要短而且不得不短，設(shè)計的時候從性能上說，也是完全有必要的。
接口設(shè)計要通過無數(shù)的實驗才能得到正確的數(shù)值，各元件的取值都要穩(wěn)妥，比如電容取值要準(zhǔn)確。
接地設(shè)計也是一門深度技術(shù)， 設(shè)計的時候要格外注意。
以及總線接口端電源線和地線設(shè)計，保護地可以放置在PCB板的任何一層上，它和信號地分割開。保護地和信號地之間的間距不應(yīng)小于25mil。
其次是拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計，芯片需要外接一個較高頻率的晶振，盡量靠近USB芯片的時鐘輸入腳。晶振下不要布置任何信號線，并且在時鐘線周圍應(yīng)覆有完整的信號地。
對此你們還有更好的見解嗎，如有可以繼續(xù)在該貼中回復(fù)，共同跟廣大網(wǎng)友共同探討有關(guān)USB接口的電磁兼容設(shè)計問題。
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