【導讀】2025年11月20日至21日，全球領先的綜合電子元器件制造商村田中國將盛大出席在成都中國西部國際博覽城舉辦的“2025集成電路發展論壇（成渝）暨三十一屆集成電路設計業展覽會（ICCAD 2025）”，展位號為【D106】。此次參展，村田將聚焦未來高性能AI發展需求，針對高速高頻設計挑戰展示一系列小型化、高性能的元器件產品和解決方案，為集成電路產業的創新與發展注入新動力。
AI芯片市場正經歷前所未有的增長。根據德勤中國最新發布的《技術趨勢2025》報告，全球AI芯片市場到2027年預計將增長至4000億美元，即使保守預估也能達到1100億美元規模。這一爆發式增長對集成電路設計提出了更高要求。AI應用對計算能力、能效和穩定性的需求日益提升，如何優化和創新芯片中的各類元器件，已成為行業關注的焦點。村田公司憑借其技術積累，致力于通過元器件創新助力行業應對這些挑戰。
低ESL硅電容：優化高頻去耦性能
村田低ESL（UESL）硅電容專為封裝內去除高頻反諧振點的去耦和PDN（電源分配網絡）設計優化而開發，特別適合AI服務器高性能計算（HPC）和前沿深度學習所需的高規格GPU等應用場景。
該系列產品具有低等效串聯電感（ESL）、低等效串聯電阻（ESR）和多端子設計，能有效降低PDN在高頻下的阻抗，支持多電源域的去耦需求。其3D結構實現了電容分布的靈活性，目前已成功應用于多款旗艦級APU以及HPC的PDN設計參考中。
多層陶瓷電容器（MLCC）：產品線全面覆蓋
村田此次展出的MLCC產品系列豐富，包括長寬倒置電容（LLL）、三端子電容（NFM）以及小型化大容量電容等多種類型，可廣泛應用于AI服務器、交換機、汽車電子等多種場景。
其中，長寬倒置型低ESL MLCC具有220μm以下的超薄厚度，其低ESL特性對電路PDN設計大有裨益，非常適合芯片背貼應用。而三端子電容則能有效解決板級或芯片內部空間限制問題，減少電容使用數量，顯著提升電路性能。
值得一提的是，村田在大容量化方面取得重大突破，已成為業內首家實現0603尺寸（1.6x0.8mm）/X6/100μF產品量產的廠商，這一技術領先優勢進一步鞏固了其在電子元器件領域的領導地位。
集成封裝解決方案：創新設計突破空間限制
村田集成封裝解決方案結合了聚合物電容與多層基板技術生產工藝，具有容值密度高、厚度薄等突出特點。其專有的通孔設計可實現芯片或電源模塊的垂直供電，同時具備穩定性高、無直流偏置和溫漂的優越性能。
與傳統電容布局相比，這一創新解決方案在優化PDN阻抗的同時，為高性能計算等應用的緊湊化設計開辟了新的可能性，特別適用于服務器、GPU和AI加速卡等對空間要求嚴苛的應用場景。
專業技術分享：PDN設計與解決方案深度解析
展會期間，村田還將參與“IC設計與創新應用”專題會議，由村田中國產品工程師李丹鈺女士帶來《AI與汽車電子領域的精良封裝IC(PDN)設計與解決方案》的主題演講。該演講將分享村田在人工智能和車載電子領域的PDN優化經驗和前沿封裝設計思路，為行業專業人士提供寶貴的技術洞察。
