- 輸入整流橋的選擇
- 輸入濾波電容器的選擇
- 漏極鉗位保護電路的設(shè)計
本文介紹輸入整流濾波器及鉗位保護電路的設(shè)計，包括輸入整流橋的選擇、輸入濾波電容器的選擇、漏極鉗位保護電路的設(shè)計等內(nèi)容，講解圖文并茂且附實例計算。
1 輸入整流橋的選擇
1）整流橋的導(dǎo)通時間與選通特性
50Hz交流電壓經(jīng)過全波整流后變成脈動直流電壓u1，再通過輸入濾波電容得到直流高壓U1。在理想情況下，整流橋的導(dǎo)通角本應(yīng)為180°（導(dǎo)通范圍是從 0°～180°），但由于濾波電容器C的作用，僅在接近交流峰值電壓處的很短時間內(nèi)，才有輸入電流流經(jīng)過整流橋?qū)充電。50Hz交流電的半周期為 10ms，整流橋的導(dǎo)通時間tC≈3ms，其導(dǎo)通角僅為54°（導(dǎo)通范圍是36°～90°）。因此，整流橋?qū)嶋H通過的是窄脈沖電流。橋式整流濾波電路的原 理如圖1（a）所示，整流濾波電壓及整流電流的波形分別如圖l（b）和（c）所示。
（1）整流橋的上述特性可等效成對應(yīng)于輸入電壓頻率的占空比大約為30％。
（2）整流二極管的一次導(dǎo)通過程，可視為一個“選通脈沖”，其脈沖重復(fù)頻率就等于交流電網(wǎng)的頻率（50Hz）。
（3）為降低開關(guān)電源中500kHz以下的傳導(dǎo)噪聲，有時用兩只普通硅整流管（例如1N4007） 與兩只快恢復(fù)二極管（如FR106）組成整流橋，F(xiàn)Rl06的反向恢復(fù)時間trr≈250ns。
2）整流橋的參數(shù)選擇
隔離式開關(guān)電源一般采用由整流管構(gòu)成的整流橋，亦可直接選用成品整流橋，完成橋式整流。全波橋式整流器簡稱硅整流橋，它是將四只硅整流管接成橋路形式，再用塑料封裝而成的半導(dǎo)體器件。它具有體積小、使用方便、各整流管的參數(shù)一致性好等優(yōu)點，可廣泛用于開關(guān)電源的整流電路。硅整流橋有4個引出端，其中交流輸入端、直流輸出端各兩個。
硅整流橋的最大整流電流平均值分0．5～40A等多種規(guī)格，最高反向工作電壓有50～1000V等多種規(guī)格。小功率硅整流橋可直接焊在印刷板上，大、中功率硅整流橋則要用螺釘固定，并且需安裝合適的散熱器。
整流橋的主要參數(shù)有反向峰值電壓URM（V），正向壓降UF（V），平均整流電流Id（A），正向峰值浪涌電流IFSM（A），最大反向漏電流 IR（μA）。整流橋的反向擊穿電壓URR應(yīng)滿足下式要求：
舉例說明，當交流輸入電壓范圍是85～132V時，umax=132V，由式（1）計算出UBR=233．3V，可選耐壓400V的成品整流橋。對于寬范 圍輸入交流電壓，umax=265V，同理求得UBR=468．4V，應(yīng)選耐壓600V的成品整流橋。需要指出，假如用4只硅整流管來構(gòu)成整流橋，整流管 的耐壓值還應(yīng)進一步提高。辟如可選1N4007（1A／1000V）、1N5408（3A／1000V）型塑封整流管。這是因為此類管子的價格低廉，且按 照耐壓值“寧高勿低”的原則，能提高整流橋的安全性與可靠性。
設(shè)輸入有效值電流為IRMS，整流橋額定的有效值電流為IBR，應(yīng)當使IBR≥2IRMS。計算IRMS的公式如下：
式中，PO為開關(guān)電源的輸出功率，η為電源效率，umin為交流輸入電壓的最小值，cosφ為開關(guān)電源的功率因數(shù)，允許cosφ=0．5～0．7。由于整 流橋?qū)嶋H通過的不是正弦波電流，而是窄脈沖電流（參見圖1），因此整流橋的平均整流電流Id 例如，設(shè)計一個7．5V／2A（15W）開關(guān)電源，交流輸入電壓范圍是85～265V，要求η=80％。將Po=15W、η=80％、umin=85V、 cosψ=0．7一并代入（2）式得到，IRMS=0．32A，進而求出Id=0．65×IRMS=0．21A。實際選用lA／600V的整流橋，以留出一定余量。
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2 輸入濾波電容器的選擇
1）輸入濾波電容器容量的選擇
為降低整流濾波器的輸出紋波，輸入濾波電容器的容量CI必須選的合適。令每單位輸出功率（W）所需輸入濾波電容器容量 （μF）的比例系數(shù)為k，當交流電壓 u=85～265V時，應(yīng)取k=（2～3）μF／W；當交流電壓u=230V（1±15％）時，應(yīng)取k=1μF／W。輸入濾波電容器容量的選擇方法詳見附表l，Po為開關(guān)電源的輸出功率。
輸入濾波電容的容量是開關(guān)電源的一個重要參數(shù)。CI值選得過低，會使UImin值大大降低，而輸入脈動電壓UR卻升 高。但CI值取得過高，會增加電容器成本，而且對于提高UImin值和降低脈動電壓的效果并不明顯。下面介紹計算CI準確值的方法。
設(shè)交流電壓u的最小值為umin。u經(jīng)過橋式整流和CI濾波，在u=umin情況下的輸入電壓波形如圖2所示。該圖是在Po=POM，f=50Hz、整流橋的導(dǎo)通時間tC=3ms、η=80％的情況下繪出的。由圖可見，在直流高壓的最小值UImin上還疊加一個幅度為UR的一次側(cè)脈動電壓，這是CI在充放 電過程中形成的。欲獲得CI的準確值，可按下式進行計算：
3 漏極鉗位保護電路的設(shè)計
對反激式開關(guān)電源而言，每當功率開關(guān)管（MOSFET）由導(dǎo)通變成截止時，在開關(guān)電源的一次繞組上就會產(chǎn)生尖峰電壓和感應(yīng)電壓。其中的尖峰電壓是由于高頻變壓器存在漏感（即漏磁產(chǎn)生的自感）而形成的，它與直流高壓UI和感應(yīng)電壓UOR疊加在MOSFET的漏極上，很容易損壞MOSFET。為此，必須在增加 漏極鉗位保護電路，對尖峰電壓進行鉗位或者吸收。
1）漏極上各電壓參數(shù)的電位分布
下面分析輸入直流電壓的最大值UImax、一次繞組的感應(yīng)電壓UOR、鉗位電壓UB與UBM、最大漏極電壓UDmax、漏一源擊穿電壓U（BR）DS這6 個電壓參數(shù)的電位分布情況使讀者能有一個定量的概念。對于TOPSwitch—XX系列單片開關(guān)電源，其功率開關(guān)管的漏一源擊穿電壓 U（BR）DS≥700V，現(xiàn)取下限值700V。感應(yīng)電壓UOR=135V（典型值）。本來鉗位二極管的鉗位電壓UB只需取135V，即可將疊加在UOR 上由漏感造成的尖峰電壓吸收掉，實際卻不然。手冊中給出UB參數(shù)值僅表示工作在常溫、小電流情況下的數(shù)值。實際上鉗位二極管（即瞬態(tài)電壓抑制器TVS）還 具有正向溫度系數(shù)，它在高溫、大電流條件下的鉗位電壓UBM要遠高于UB。實驗表明，二者存在下述關(guān)系：
這表明UBM大約比UB高40％。為防止鉗位二極管對一次側(cè)感應(yīng)電壓UOR也起到鉗位作用，所選用的TVS鉗位電壓應(yīng)按下式計算：
此外，還須考慮與鉗位二極管相串聯(lián)的阻塞二極管VD的影響。VD一般采用快恢復(fù)或超快恢復(fù)二極管，其特征是反向恢復(fù)時間（trr）很短。但是VDl在從反向截止到正向?qū)ㄟ^程中還存在著正向恢復(fù)時間（tfr），還需留出20V的電壓余量。
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考慮上述因素之后，計算TOPSwitch一 最大漏一源極電壓的經(jīng)驗公式應(yīng)為：
TOPSwitch—XX系列單片開關(guān)電源在230V交流固定輸入時，MOSFET的漏極上各電壓參數(shù)的電位分布如圖3所示，占空比D≈26％。此時 u=230V±35V，即umax=265V，UImax=umax≈375V，UOR=135V，UB=1．5 UOR≈200V，UBM=1．4UB=280V，UDmax=675V，最后再留出25V的電壓余量，因此U（BR）DS=700V。實際上 U（BR）DS也具有正向溫度系數(shù)，當環(huán)境溫度升高時U（BR）DS也會升高，上述設(shè)計就為芯片耐壓值提供了額外的裕量。
漏極鉗位保護電路主要有以下4種設(shè)計方案（電路參見圖4）：
（2）利用阻容吸收元件和阻塞二極管組成的R、C、VD型鉗位電路，如（b）圖所示。
（3）由阻容吸收元件、TVS和阻塞二極管構(gòu)成的R、C、TVS、VD型鉗位電路，如（c）圖所示。
（4）由穩(wěn)壓管（VDZ）、阻容吸收元件和阻塞二極管（快恢復(fù)二極管FRD）構(gòu)成的VDz、R、C、VD型鉗位電路，如（d）圖所示。
上述方案中以（c）的保護效果最佳，它能充分發(fā)揮TVS響應(yīng)速度極快、可承受瞬態(tài)高能量脈沖之優(yōu)點，并且還增加了RC吸收回路。鑒于壓敏電阻器（VSR） 的標稱擊穿電壓值（U1nA）離散性較大，響應(yīng)速度也比TVS慢很多，在開關(guān)電源中一般不用它構(gòu)成漏極鉗位保護電路。
需要指出，阻塞二極管一般可采用快恢復(fù)或超快恢復(fù)二極管。但有時也專門選擇反向恢復(fù)時間較長的玻璃鈍化整流管1N4005GP，其目的是使漏感能量能夠得到恢復(fù)，以提高電源效率。玻璃鈍化整流管的反向恢復(fù)時間介于快恢復(fù)二極管與普通硅整流管之間，但不得用普通硅整流管1N4005來代替lN4005GP。
常用鉗位二極管和阻塞二極管的選擇見附表2。
