【導(dǎo)讀】近些年，高速光模塊市場(chǎng)迎來(lái)快速增長(zhǎng)。5G基建建設(shè)的持續(xù)推進(jìn)和互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代數(shù)據(jù)市場(chǎng)的需求爆發(fā)持續(xù)刺激著對(duì)50G/100G/200G/400G高速光模塊的需求。全球100G/200G/400G的光模塊在未來(lái)3到5年預(yù)計(jì)會(huì)以30%的CAGR持續(xù)增長(zhǎng)。
（一）高速光模塊的市場(chǎng)概況
近些年，高速光模塊市場(chǎng)迎來(lái)快速增長(zhǎng)。5G基建建設(shè)的持續(xù)推進(jìn)和互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代數(shù)據(jù)市場(chǎng)的需求爆發(fā)持續(xù)刺激著對(duì)50G/100G/200G/400G高速光模塊的需求。全球100G/200G/400G的光模塊在未來(lái)3到5年預(yù)計(jì)會(huì)以30%的CAGR持續(xù)增長(zhǎng)。
圖1：高速光模塊的市場(chǎng)出貨量（Y16-Y22F）
5G基站建設(shè)架構(gòu)從RRU+BBU進(jìn)化到AAU+CU+DU推動(dòng)出前傳光模塊，中傳光模塊及回傳光模塊市場(chǎng)需求：
1. 前傳光模塊主要使用在AAU到DU之間的光信號(hào)傳輸，集中在25G和50G的高速光模塊。前傳光模塊的市場(chǎng)需求量相比于后兩者更大，在未來(lái)四年預(yù)計(jì)有48Mu的市場(chǎng)需求量。
2. 中傳光模塊主要應(yīng)用在DU和CU之間的光電信號(hào)轉(zhuǎn)換。這一部分的數(shù)據(jù)量更大，中傳光模塊主要集中在50G和100G的高速光模塊，預(yù)計(jì)在未來(lái)四年的總市場(chǎng)需求量在16Mu。
3. 回傳光模塊主要應(yīng)用于CU與承載網(wǎng)服務(wù)器之間，有著最高的信號(hào)速率要求，集中于100G，200G及400G，未來(lái)四年的市場(chǎng)需求在7Mu。
圖2：5G基站建設(shè)的整體架構(gòu)
數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)對(duì)高速光模塊的需求在僅幾年也持續(xù)提高。得益于兩點(diǎn)：
1. 傳統(tǒng)三層網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)式服務(wù)器架構(gòu)向葉脊架構(gòu)數(shù)據(jù)中心的進(jìn)化：大大增加了數(shù)據(jù)中心內(nèi)部交換連接點(diǎn)的數(shù)量，對(duì)應(yīng)提高了對(duì)高速光模塊的數(shù)量需求；
圖3：數(shù)據(jù)中心架構(gòu)演進(jìn)
2. 互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代加成云計(jì)算云存儲(chǔ)概念，持續(xù)點(diǎn)燃著數(shù)據(jù)中心的建設(shè)。我國(guó)數(shù)據(jù)中心數(shù)量也從2012年的1萬(wàn)個(gè)到如今的7.4萬(wàn)個(gè)，已建成的超大型、大型數(shù)據(jù)中心數(shù)量占比達(dá)到12.7%。數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的持續(xù)升溫也同樣刺激著高速光模塊的市場(chǎng)需求。
（二）TI電源及信號(hào)鏈解決方案助力光模塊小體積布板設(shè)計(jì)
光模塊產(chǎn)品本身體積較小，工程師在使用體積較大的電源及信號(hào)鏈芯片時(shí)，往往會(huì)使設(shè)計(jì)受限于Layout。TI提供完整的高速光模塊供電鏈路供工程師設(shè)計(jì)參考使用。具體參考如下框圖：
圖4：TI參考推薦高速光模塊供電軌方案
從金手指的3.3V接口供電到各個(gè)光模塊內(nèi)的不同應(yīng)用單元，TI都提供了不同類(lèi)型的超小封裝電源及信號(hào)鏈產(chǎn)品解決方案。我們將從如下4個(gè)主要的功能大塊做詳細(xì)介紹：
1. 激光發(fā)射器驅(qū)動(dòng)器（LDD）供電單元：
針對(duì)于不同廠家的激光發(fā)射器驅(qū)動(dòng)器的供電電壓的不同，在此處的電源方案設(shè)計(jì)分為兩種不同的拓?fù)漕?lèi)型：Buck電源解決方案和Buck-boost電源解決方案。較普遍的供電電流需求在小于3A。較高開(kāi)關(guān)頻率的DC/DC芯片可以降低對(duì)電路設(shè)計(jì)時(shí)外圍功率電感的感量和最大不飽和電流值的要求，進(jìn)而提高整個(gè)布板效率。同時(shí)高開(kāi)關(guān)頻率的DCDC電源芯片對(duì)輸出電流的紋波抑制也有較高的抑制作用。
Buck電源解決方案匯總?cè)缦隆I提供兩種不同類(lèi)型的Buck芯片：轉(zhuǎn)換器芯片及電源模塊。高開(kāi)關(guān)頻率的轉(zhuǎn)換器芯片可以有效降低電感尺寸進(jìn)而精進(jìn)占板面積。而集成度更高的電源模塊產(chǎn)品將電感及部分輸入輸出電容集成，不僅在精進(jìn)占板面積上有更優(yōu)質(zhì)的表現(xiàn)，同時(shí)在降低EMI，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)上為工程師提供便捷。
表1：TI適用于LDD驅(qū)動(dòng)方案的buck產(chǎn)品選型表
Buck-Boost電源解決方案適用于一些激光發(fā)射器驅(qū)動(dòng)芯片供電電壓大于3.3V的情況。TI提供高開(kāi)關(guān)頻率的Buck-Boost芯片：TPS61099B。
TPS61099B是一顆即使在輕載下仍然通過(guò)強(qiáng)制PWM控制方案以保證在全負(fù)載范圍內(nèi)都能很好的抑制輸出電源的高頻紋波。3MHz的開(kāi)關(guān)頻率及1.23 x 0.88mmWCSP的封裝極大的減小了整體電源方案的布板面積。1A的最大開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電流限制，適用于電流需求小于1A的絕大部分應(yīng)用。如下是TPS61099B的典型應(yīng)用電路。通過(guò)少量的外圍無(wú)源元件即可實(shí)現(xiàn)。
圖5：TPS61099B典型電路應(yīng)用
2. PAM4DSP或者主MCU供電單元：
傳統(tǒng)的10G及10G以下的光模塊設(shè)計(jì)中，MCU的功耗往往相對(duì)較低，采用3A及以下的Buck降壓芯片可以滿足供電電源的參數(shù)設(shè)計(jì)。在50G及以上的高速光模塊中，尤其是對(duì)于更多通道更遠(yuǎn)傳輸距離的LR4/ER4等高速光模塊，往往不僅要采用功耗更高的PAM4-DSP控制芯片，還會(huì)加入FPGA單元提高數(shù)據(jù)的處理能力。這時(shí)，3A及以上的Buck降壓芯片往往被工程師所采用?；谀壳笆占膶?duì)供電電源的要求，TI提供如下電源解決方案供光模塊硬件工程師選擇：
表2：TI適用于PAM4DSP 或主MCU的buck產(chǎn)品選型表
APD高壓驅(qū)動(dòng)單元
雪崩光電二極管(Avalanche Photon Diode, APD)常在需要進(jìn)行遠(yuǎn)距傳輸?shù)墓饽K中在接收端的光電信號(hào)轉(zhuǎn)換中被使用。在光電二極管的PN結(jié)上加上反向偏壓后，射入的光被PN吸收后會(huì)形成光電流，加大反向偏壓會(huì)產(chǎn)生雪崩（光電流成倍激增）的現(xiàn)象。同時(shí)利用了載流子的雪崩倍增效應(yīng)來(lái)放大光電信號(hào)以提高檢測(cè)的靈敏度。APD往往需要大于35V的高壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。TI提供集成有非同步升壓及電流鏡的TPS61391以驅(qū)動(dòng)高壓APD。
TPS61391是一顆集成非同步升壓轉(zhuǎn)換器及電流鏡電路的APD驅(qū)動(dòng)芯片?？梢詫⒔鹗种柑峁┑?.3v的端口電壓最大升壓到85V。800mA的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電流值可以保證在85V的高壓輸出情況下仍然能提供10mA的驅(qū)動(dòng)電流值。內(nèi)置的1：5和4：5的電流鏡可以根據(jù)不同精度的電流監(jiān)測(cè)自動(dòng)無(wú)縫切換。700KHz的開(kāi)關(guān)頻率使得在外部電感設(shè)計(jì)的過(guò)程中，即使在占空比較小的情況下也能有效的控制電感體積。TPS61391的封裝是3x3的QFN封裝，占板面積相對(duì)較小。
同時(shí)TI也推出了TPS61390以應(yīng)用在低速PON光模塊。在內(nèi)置與TPS61391相同規(guī)格的非同步升壓轉(zhuǎn)換器和電流鏡電路的同時(shí)，繼續(xù)集成采樣保持電路，以適應(yīng)FTTH典型網(wǎng)絡(luò)中突發(fā)型光信號(hào)的接收。
如下是TPS61391的典型電路應(yīng)用：
圖6：TPS61391典型電路應(yīng)用
4. EML激光發(fā)射器驅(qū)動(dòng)電路：
EML激光發(fā)射器的驅(qū)動(dòng)電路對(duì)于激光器電光信號(hào)轉(zhuǎn)換的質(zhì)量起到了重要的作用。針對(duì)于EML激光器，工程師在設(shè)計(jì)過(guò)程中主要涉及到EA負(fù)壓驅(qū)動(dòng)、恒電流光功率控制、TEC控制。
針對(duì)于TEC控制，TI提供通過(guò)Buck-boost芯片實(shí)現(xiàn)TEC控制，相比于傳統(tǒng)的H橋控制模式，方案占板面積更小，成本更低，同時(shí)整體方案仍能保持在90%。TI提供的參考設(shè)計(jì)TIDA-050017為參考解決方案，以TPS63802/TPS63805為核心，通過(guò)數(shù)字化的溫度PID控制以實(shí)現(xiàn)對(duì)EML激光器的恒溫控制。
圖7：基于TPS63802的TIA溫度控制設(shè)計(jì)
針對(duì)于多通道高速光模塊中EA負(fù)壓驅(qū)動(dòng)及恒流光功率控制，TI最新推出了一款高集成度的EML激光器驅(qū)動(dòng)及監(jiān)測(cè)芯片AMC60804。如下是AMC60804的內(nèi)部系統(tǒng)框圖。AMC60804內(nèi)部集成有4路IDAC、4路VDAC以及12路ADC。IDAC可以提供從0到150mA的驅(qū)動(dòng)電流，VDAC可以最大可以實(shí)現(xiàn)-5V到0V或0V到+5V的輸出電壓范圍。同時(shí)，AMC60804也內(nèi)置一個(gè)12通道的ADC。4路ADC采樣IDAC的端口電壓值，4路ADC采樣VDAC的引腳電流值，AMC60804仍外置出4個(gè)通道的ADC采樣，以實(shí)現(xiàn)部分光模塊客戶需求的LOS檢測(cè)功能。ADC通道檢測(cè)的結(jié)果可以通過(guò)AMC60804內(nèi)置的寄存器去讀寫(xiě)。AMC6084的封裝是僅有2.5 x 2.5mm的WCSP封裝，極大的優(yōu)化了多通道高速光模塊在設(shè)計(jì)布板時(shí)的難度。AMC60804是一顆專(zhuān)門(mén)用于EML激光器驅(qū)動(dòng)及監(jiān)測(cè)的芯片，目前已經(jīng)量產(chǎn)，工程師可以在TI官網(wǎng)上找到完整的數(shù)據(jù)手冊(cè)以及用于EVM調(diào)試的上位機(jī)軟件AMC60804-EVM。
圖8：AMC60804的典型框圖
（三）本文小結(jié)
本文介紹了高速光模塊近年來(lái)的市場(chǎng)情況，同時(shí)匯總了TI德州儀器高密度電源及信號(hào)鏈解決方案，囊括了光模塊硬件設(shè)計(jì)工程師主要會(huì)用到的幾個(gè)關(guān)鍵電源的設(shè)計(jì)。后續(xù)將持續(xù)更新光模塊相關(guān)專(zhuān)題，匯總在光模塊應(yīng)用中可能使用到的運(yùn)放單元，負(fù)載開(kāi)關(guān)單元及多通道小封裝的DAC/ADC芯片，同時(shí)會(huì)詳細(xì)更新本文提到的基于Buck-boost開(kāi)關(guān)型芯片的TEC控制，AMC60804的詳細(xì)使用以及多種不同的單通道負(fù)壓供電方案。
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