【導(dǎo)讀】ST發(fā)布了市場(chǎng)首個(gè)也是唯一的單封裝集成600 V柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)加強(qiáng)版氮化鎵（GaN）晶體管的MASTERGAN1。同類競(jìng)品只提供一顆GaN晶體管，而ST決定增加一顆GaN，實(shí)現(xiàn)半橋配置，并允許將MASTERGAN1用于新拓?fù)?。在設(shè)計(jì)AC-DC變換系統(tǒng)時(shí)，工程師可以將其用于LLC諧振變換器。新器件還將適用于其它常見的高能效和高端拓?fù)?，例如，有源鉗位反激或正激變換器，還解決了更高額定功率和圖騰柱PFC的設(shè)計(jì)問題。
新器件具有高度象征意義，因?yàn)樗孏aN晶體管在大眾化的產(chǎn)品中普及變得更容易。電信設(shè)備或數(shù)據(jù)中心的電源是最早使用這些功率器件的工業(yè)應(yīng)用?，F(xiàn)在有了MASTERGAN1，工程師可以設(shè)計(jì)能效更高的手機(jī)超級(jí)快充充電器、USB-PD適配器和其它電源產(chǎn)品。
為什么要在手機(jī)電源中采用GaN？
許多消費(fèi)者沒有意識(shí)到一個(gè)現(xiàn)象，近年來，智能手機(jī)、平板電腦或筆記本電腦的充電器的輸出功率呈指數(shù)增長(zhǎng)。廠商面臨一個(gè)難題，電池容量基本保持不變，或多或少與材料設(shè)計(jì)沒有取得實(shí)質(zhì)突破有關(guān)，在無法擴(kuò)大電池容量的情況下，移動(dòng)設(shè)備只能提高充電速度。借助USB Power Delivery (USB-PD)和快充技術(shù)，讓十分鐘內(nèi)充電50％成為可能，這是因?yàn)楝F(xiàn)在充電器在某些情況下能夠輸出高達(dá)100 W的功率。但是，為了使充電器整體尺寸接近當(dāng)前常規(guī)尺寸，系統(tǒng)需要高開關(guān)頻率。
目前帶GaN晶體管的充電器并不是到處都能買到，因?yàn)樵O(shè)計(jì)這類產(chǎn)品還是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。以一家中等規(guī)?；虼笮推髽I(yè)的一名普通工程師為例，首先他會(huì)遇到一個(gè)簡(jiǎn)單的文化挑戰(zhàn)，即如何說服經(jīng)理和高管使用GaN設(shè)計(jì)產(chǎn)品，而這通常不是一個(gè)容易的過程。因此，幫助決策者了解這項(xiàng)技術(shù)是必不可少的。在這名工程師的項(xiàng)目方案獲準(zhǔn)后，設(shè)計(jì)GaN產(chǎn)品PCB板也絕非易事，雖然開發(fā)一塊普通的PCB通常不難。此外，部署適當(dāng)?shù)陌踩Ｗo(hù)措施也非常重要。MASTERGAN1的重大意義在于其能夠解決所有這些問題，并使GaN技術(shù)普及到更多的應(yīng)用領(lǐng)域。
MASTERGAN1: 認(rèn)識(shí)GaN
GaN的電特性
EVALMASTERGAN1
當(dāng)市場(chǎng)開始要求小尺寸產(chǎn)品能夠處理大功率時(shí)，GaN因其固有特性而大放異彩。GaN材料本身并不新鮮。我們從90年代開始用GaN制造LED，從2000年開始在藍(lán)光激光頭中使用GaN。今天，設(shè)計(jì)者能夠在硅晶片上添加GaN薄層，制造出具有獨(dú)一無二特性的晶體管。GaN的帶隙為3.39 eV，遠(yuǎn)高于硅（1.1 eV）和碳化硅（2.86 eV），因此，臨界場(chǎng)強(qiáng)也比后者高出許多，這意味著在高頻開關(guān)時(shí)GaN的能效更高。
高帶隙是支撐這些特性的根基，高帶隙的根源是GaN的分子結(jié)構(gòu)。鎵本身是一個(gè)導(dǎo)電性非常差的導(dǎo)體。但是，當(dāng)?shù)哟騺y鎵晶格時(shí)，結(jié)構(gòu)電子遷移率大幅提高(1,700 cm2/Vs)，因此，電子的運(yùn)動(dòng)速率更高，而能量損耗更低。因此，當(dāng)開關(guān)頻率高于200 kHz時(shí)，使用GaN的應(yīng)用的能效更高。GaN可以使系統(tǒng)更小巧，更經(jīng)濟(jì)劃算。
EVALMASTERGAN：眼見為實(shí)
盡管工程師掌握了所有這些理論知識(shí)，仍可能很難說服決策者。雖然GaN晶體管并不是什么新鮮事物，但在量產(chǎn)電源中使用它仍然是特立獨(dú)行。用EVALMASTERGAN1板展示GaN和MASTERGAN1的功能簡(jiǎn)單很多。演示一個(gè)實(shí)物平臺(tái)會(huì)使項(xiàng)目方案變得更切實(shí)可行，并能看到單封裝放在電源中是什么樣子，甚至還可以按照自己的需求靈活修改板子，添加一個(gè)低邊分壓電阻或一個(gè)外部自舉二極管，使其更接近最終設(shè)計(jì)。演示支持各種電源電壓也變得更加容易。此外，還可以使用MASTERGAN1的所有引腳，幫助開發(fā)人員及早測(cè)試應(yīng)用設(shè)計(jì)。
MASTERGAN1: 用GaN設(shè)計(jì)
降低設(shè)計(jì)復(fù)雜度
MASTERGAN1
從概念驗(yàn)證到定制設(shè)計(jì)可能會(huì)充滿挑戰(zhàn)。評(píng)估板的原理圖是一個(gè)很好的起點(diǎn)，但是，高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)難度很大。如果PCB上走線太長(zhǎng)，會(huì)引發(fā)寄生電感的問題。對(duì)于半橋電源變換器，集成兩個(gè)GaN晶體管很重要，而大多數(shù)競(jìng)品僅提供一個(gè)GaN晶體管。MASTERGAN1之所以獨(dú)一無二，是因?yàn)樗钱?dāng)今唯一集成兩個(gè)GaN晶體管的電源解決方案。因此，工程師不必處理與這類應(yīng)用相關(guān)的復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)問題。同樣，特殊的GaN技術(shù)和優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器使系統(tǒng)不需要負(fù)電壓電源。MASTERGAN1還具有兼容20 V信號(hào)的輸入引腳。因此，工程師可以將其與現(xiàn)有和即將推出的各種控制器配合使用。
工程師還必須著手解決尺寸限制這一重要問題。手機(jī)充電器必須保持小巧的設(shè)計(jì)。因此，MASTERGAN1封裝的尺寸僅為9 mm x 9 mm，這是一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)。此外，該系列今后幾個(gè)月還計(jì)劃推出引腳兼容的新產(chǎn)品。因此，更換MASTERGAN家族產(chǎn)品將更加容易，使用基于MASTERGAN1的PCB開發(fā)新設(shè)計(jì)將會(huì)更加簡(jiǎn)單。最后，能夠更快地設(shè)計(jì)出更小的PCB可以節(jié)省大量成本。隨著制造商力爭(zhēng)開發(fā)更經(jīng)濟(jì)的解決方案，MASTERGAN1有助于使設(shè)計(jì)變得更經(jīng)濟(jì)劃算，這也是為什么我們已經(jīng)贏得客戶訂單的原因。
提高可靠性
設(shè)計(jì)可靠性是工程師面臨的另一個(gè)重大挑戰(zhàn)。一個(gè)爆炸的充電器會(huì)成為社交媒體的眾矢之的?？煽啃圆桓叩南到y(tǒng)會(huì)對(duì)客戶服務(wù)運(yùn)營(yíng)造成重大壓力。但是，部署安全功能遠(yuǎn)不是那么簡(jiǎn)單。在采用GaN半橋拓?fù)鋾r(shí)，必須避免兩個(gè)開關(guān)管同時(shí)導(dǎo)通。因此，MASTERGAN1集成了互鎖功能和精確匹配的傳輸延遲，以及差分導(dǎo)通和關(guān)斷柵極電流。這些功能可以實(shí)現(xiàn)精確、高效的開關(guān)操作。最后，我們?yōu)榧訌?qiáng)版GaN FET管設(shè)計(jì)了MASTERGAN1柵極驅(qū)動(dòng)器，從而提高了系統(tǒng)性能和可靠性。
針對(duì)GaN FET優(yōu)化的欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)可防止在低電源電壓下工作時(shí)能效嚴(yán)重降低和潛在問題。同樣，集成的熱關(guān)斷功能可防止器件過熱。柵極驅(qū)動(dòng)器的電平轉(zhuǎn)換器和高效輸入緩沖功能給GaN柵極驅(qū)動(dòng)器帶來非常好的魯棒性和抗噪性。最后，關(guān)閉引腳允許通過MCU的專用引腳將功率開關(guān)設(shè)為空閑模式。
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