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Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增三種更大的外形尺寸
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸，接線柱的長(zhǎng)度為13mm。
2010-01-27
Vishay 101/102 PHR-ST 電容器 RoHS指令 UPS設(shè)備
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-01-27
Vishay MOSFET FET?技術(shù)
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罐式電容式電壓互感器研制成功
國網(wǎng)電科院研制的罐式結(jié)構(gòu)特高壓電容式電壓互感器。其短時(shí)工頻耐受電壓達(dá)到1100kV/5min、雷電沖擊耐受電壓達(dá)到2400kV、操作沖擊耐受電壓達(dá)到1800kV，二次繞組準(zhǔn)確級(jí)達(dá)到0.2/0.5/0.5(3P)/3P。
2010-01-27
罐式電容式 電壓互感器 研制成功
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江門建LED產(chǎn)業(yè)基地 2015年產(chǎn)值或達(dá)500億
昨天在江門市召開的2010年全國半導(dǎo)體照明電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布及宣貫大會(huì)上，江門市常務(wù)副市長(zhǎng)吳紫驪宣布，江門市將大力發(fā)展LED產(chǎn)業(yè)，到2015年實(shí)現(xiàn)500億元產(chǎn)業(yè)規(guī)模，建設(shè)中國重要的LED產(chǎn)業(yè)基地。
2010-01-27
江門 LED產(chǎn)業(yè) 基地 產(chǎn)值
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韓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)宣告全面復(fù)蘇
韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的兩大支柱，三星電子和海力士去年第四季度均創(chuàng)造有史以來最高銷售業(yè)績(jī)，而且銷售利潤都超過了20％。
2010-01-27
韓國 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 全面復(fù)蘇
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“微型閃光”太陽能電池引領(lǐng)新方向
美國桑迪亞國家實(shí)驗(yàn)室的科學(xué)家們宣布,他們發(fā)明了一種新型太陽能電池,這種被稱為“微型閃光”的太陽能電池將有可能完全改變目前太陽能收集和使用的方式
2010-01-27
微型閃光 太陽能 電池
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蓄電池全新的充電模式
發(fā)展中的民用電動(dòng)交通產(chǎn)品，是未來蓄電池的最大市場(chǎng)。該市場(chǎng)能否獲得快速平穩(wěn)的發(fā)展，關(guān)鍵取決于電動(dòng)交通產(chǎn)品的運(yùn)行成本。其中圍繞著蓄電池的幾項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)，如蓄電池的單位儲(chǔ)能指標(biāo)，循環(huán)使用壽命，放電后的充電是否安全、方便，環(huán)境溫度變化的適應(yīng)能力等，又是影響運(yùn)行成本的核心。以上任一個(gè)技術(shù)...
2010-01-27
充電模式 蓄電池 平衡充電法
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微機(jī)電運(yùn)動(dòng)傳感器淺談
MEMS運(yùn)動(dòng)傳感器囊括多種傳感器技術(shù)。用來測(cè)量物體加速度的傳感器叫做加速度傳感器（加速度計(jì)）；用來測(cè)量物體角速度的傳感器叫做角速度傳感器（陀螺儀）；也有將二者相結(jié)合的慣性測(cè)量單元（IMU；Inertial Measurement Unit）。另外，還有測(cè)量高度變化的氣壓計(jì)，以及感測(cè)絕對(duì)方向的電子羅盤。
2010-01-27
加速度計(jì) 角速度傳感器 陀螺儀
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新型采購與供應(yīng)模式峰會(huì)再現(xiàn)鵬城
電子元件技術(shù)網(wǎng)(m.tzzsdz.com)攜手中國電子展將在2010年4月10日在深圳會(huì)展中心舉辦第三屆新型采購與供應(yīng)模式峰會(huì)。峰會(huì)以技術(shù)降成本，創(chuàng)新求發(fā)展為主題。
2010-01-26
新型采購 供應(yīng)模式 SZ2010 CEF 中國電子展
- 機(jī)構(gòu)預(yù)警：DRAM價(jià)格壓力恐持續(xù)至2027年，存儲(chǔ)原廠加速擴(kuò)產(chǎn)供應(yīng)HBM
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